SiCO(H)薄膜材料及其前驱体的制备与性能表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 图清单 | 第8-10页 |
| 表清单 | 第10-11页 |
| 注释表 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1. 引言 | 第12-21页 |
| ·低介电常数材料的出现 | 第12-14页 |
| ·降低互连延迟的方法 | 第13页 |
| ·现代工艺对低介电常数材料的提出 | 第13-14页 |
| ·低介电常数材料的要求标准 | 第14-15页 |
| ·电学性能要求 | 第14页 |
| ·机械性能要求 | 第14页 |
| ·化学性能要求 | 第14页 |
| ·热稳定性能要求 | 第14-15页 |
| ·低介电常数材料的研究现状 | 第15-18页 |
| ·低介电常数材料的分类 | 第16-18页 |
| ·无机低介电常数材料 | 第16-17页 |
| ·有机多孔低介电常数材料 | 第17页 |
| ·新型多面体低聚倍半硅氧烷 | 第17-18页 |
| ·降低集成电路互连介质介电常数的方法 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第二章 SiCO(H)薄膜的制备与表征方法 | 第21-33页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·实验材料与仪器 | 第21-22页 |
| ·实验材料 | 第21-22页 |
| ·实验仪器与装置 | 第22页 |
| ·实验过程 | 第22-27页 |
| ·溶胶-凝胶特点 | 第22-23页 |
| ·旋涂工艺 | 第23-24页 |
| ·样品制备 | 第24-27页 |
| ·薄膜表征方法 | 第27-32页 |
| ·结构表征 | 第27页 |
| ·形貌表征 | 第27-28页 |
| ·热稳定性表征 | 第28页 |
| ·电学性能表征 | 第28-30页 |
| ·力学性能表征 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 薄膜的性能表征分析 | 第33-41页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·薄膜性能分析 | 第33-40页 |
| ·结构与组成分析 | 第33-35页 |
| ·薄膜表面形态表征 | 第35-37页 |
| ·薄膜电性能分析 | 第37-39页 |
| ·薄膜力学特性分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 笼型倍半硅氧烷(POSS)的合成及其表征 | 第41-49页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验材料及其制备 | 第42-45页 |
| ·实验材料 | 第42页 |
| ·实验仪器与装置 | 第42页 |
| ·前驱体合成反应 | 第42-45页 |
| ·反应机理 | 第42-44页 |
| ·反应过程 | 第44-45页 |
| ·样品制备 | 第45页 |
| ·样品表征 | 第45-48页 |
| ·化学表征 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第58页 |
