| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本文的主要研究目标和研究内容 | 第12-14页 |
| 2 纳米Al/MoO_x薄膜的制备和表征 | 第14-25页 |
| ·磁控溅射制备纳米Al/MoO_x薄膜 | 第14-16页 |
| ·实验设备及材料 | 第14-15页 |
| ·制备工艺 | 第15-16页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜的形貌分析 | 第16-17页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜成分分析 | 第17-20页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜的XRD表征 | 第17-18页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜的XPS表征 | 第18-20页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜热分析 | 第20-23页 |
| ·不同调制周期的纳米Al/MoO_x薄膜DSC分析 | 第20-21页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜的DSC分析 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 3 含能半导体桥SCB-Al/MoO_x集成工艺与安全性 | 第25-33页 |
| ·纳米Al/MoO_x薄膜与SCB的集成工艺 | 第25-26页 |
| ·SCB-Al/MoO_x防射频措施 | 第26-28页 |
| ·NTC热敏电阻对SCB-Al/MoO_x恒流感度的影响 | 第28-32页 |
| ·1AlW5min不发火实验 | 第28-30页 |
| ·红外测温 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 4 含能半导体桥SCB-Al/MoO_x电爆换能规律 | 第33-49页 |
| ·电爆实验装置 | 第33页 |
| ·典型发火特性曲线和电爆参数显著性检验 | 第33-40页 |
| ·电阻、临界激发时间和临界激发能量 | 第36-39页 |
| ·作用总时间和总能量 | 第39-40页 |
| ·输入能量利用率与输出能量效率 | 第40-43页 |
| ·高速摄影与双谱线测温 | 第43-46页 |
| ·点火可靠性验证 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 5 结论与展望 | 第49-52页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| ·创新点 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
