| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-33页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO 基材料和器件的研究进展 | 第14-31页 |
| ·高质量 ZnO 外延薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| ·p-ZnO 材料的研究进展 | 第16-23页 |
| ·ZnO 基材料光电器件的研究进展 | 第23-31页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 ZnO 薄膜外延技术与表征手段 | 第33-47页 |
| ·ZnO 薄膜外延技术 | 第33-38页 |
| ·分子束外延 | 第33-36页 |
| ·等离子体辅助的分子束外延 | 第36-38页 |
| ·ZnO 薄膜常用表征分析方法 | 第38-45页 |
| ·晶体结构分析 | 第38-40页 |
| ·表面形貌分析 | 第40-43页 |
| ·电学性质表征 | 第43-44页 |
| ·光谱测试 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 低温高质量 ZnO 薄膜的制备研究 | 第47-73页 |
| ·ZnO 薄膜外延过程 | 第48-55页 |
| ·入射原子在衬底表面的凝结 | 第48-51页 |
| ·薄膜外延的生长模式 | 第51-53页 |
| ·衬底对外延层的影响 | 第53-55页 |
| ·低温 ZnO 薄膜的制备及性质表征 | 第55-63页 |
| ·样品制备过程 | 第55页 |
| ·样品结构性质和形貌分析 | 第55-60页 |
| ·电学性质表征 | 第60-61页 |
| ·样品光学性质的表征 | 第61-63页 |
| ·高低温生长比较 | 第63-66页 |
| ·高背景电子浓度的来源探讨 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-73页 |
| 第四章 N 掺杂 p 型 ZnO 的制备与性能研究 | 第73-85页 |
| ·N 掺杂 ZnO 薄膜的制备 | 第74-75页 |
| ·间歇性补氧生长 N 掺杂 p 型 ZnO | 第75-77页 |
| ·样品结构特性分析比较 | 第77-80页 |
| ·样品的光致发光特性分析 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-85页 |
| 第五章 B-N 共掺提高 p 型 ZnO 的稳定性 | 第85-95页 |
| ·B-N 共掺 p 型 ZnO 薄膜的制备 | 第85-86页 |
| ·样品的结构分析 | 第86-88页 |
| ·薄膜成分的化学状态表征 | 第88-90页 |
| ·样品的发光特性表征 | 第90-91页 |
| ·薄膜稳定性表征 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 第六章 结论与展望 | 第95-97页 |
| ·全文总结 | 第95页 |
| ·研究展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-109页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第109-111页 |
| 指导教师及作者简介 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |