应用于光通信的高速大功率双极晶体发光管的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·通信系统的构成 | 第11页 |
| ·光源 | 第11-14页 |
| ·发光二级管(LED) | 第12页 |
| ·半导体激光器(LD) | 第12-13页 |
| ·带谐振腔的发光二级管(RCLED) | 第13页 |
| ·极晶体管型LED | 第13-14页 |
| ·小结 | 第14-15页 |
| 第2章 LED器件概论 | 第15-28页 |
| ·LED发光原理 | 第16-19页 |
| ·辐射复合 | 第17-18页 |
| ·量子阱中的辐射复合 | 第18页 |
| ·非辐射复合 | 第18-19页 |
| ·异质结对器件的影响 | 第19-22页 |
| ·异质结构与器件电阻 | 第19-20页 |
| ·异质结构中的漏电流 | 第20-22页 |
| ·LED光学特性 | 第22-23页 |
| ·光功率 | 第22页 |
| ·辐射谱 | 第22-23页 |
| ·LED的调制 | 第23-26页 |
| ·LED调制速度 | 第23-25页 |
| ·光功率上升沿下降沿 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-28页 |
| 第3章 发光晶体管LET及其特性 | 第28-36页 |
| ·具有LET结构的LED | 第28-29页 |
| ·发光晶体管LET与晶体管 | 第29-35页 |
| ·晶体管增益系数 | 第29-31页 |
| ·LET光功率的上升沿和下降沿 | 第31-32页 |
| ·LET功率速度与增益系数的关系 | 第32-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第4章 高速大功率LET | 第36-46页 |
| ·研究模型 | 第36-38页 |
| ·LET功率速度与外延参数之间的关系 | 第38-43页 |
| ·基区掺杂 | 第38-42页 |
| ·集电区掺杂 | 第42-43页 |
| ·优化结果 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第5章 结论与展望 | 第46-48页 |
| ·总结 | 第46-47页 |
| ·课题展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
