| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·存储器的研究历史及其应用 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·不同种类存储器简介 | 第9-11页 |
| ·阻变随机存储器的概况 | 第11-15页 |
| ·RRAM电阻转变物理机制的研究 | 第15页 |
| ·本文的选题依据和研究内容 | 第15-19页 |
| ·Cu_2S的结构及性质 | 第15-16页 |
| ·Cu_2S电致电阻效应的研究背景 | 第16-18页 |
| ·本文的选题依据和主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 样品制备、结构分析和性能测试 | 第19-30页 |
| ·Cu_2S薄膜的制备 | 第19-23页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·制备过程 | 第19-20页 |
| ·电化学工作站原理及外观 | 第20-22页 |
| ·CHI660D主要技术与硬件指标 | 第22-23页 |
| ·电极的制备 | 第23-24页 |
| ·分析和表征 | 第24-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第24-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| ·样品电学性能测试与分析 | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第三章 Cu_2S薄膜EPIR效应的影响因素探究 | 第30-39页 |
| ·不同电极种类 | 第30-33页 |
| ·Pt/Cu_2S/Cu/Pt结构 | 第30页 |
| ·Ag-glue/Cu_2S/Cu/Ag-glue结构 | 第30-31页 |
| ·Ag/Cu_2S/Cu/Ag结构 | 第31-33页 |
| ·不同测量参数 | 第33-36页 |
| ·循环次数n不同 | 第33-34页 |
| ·脉冲幅A大小不同 | 第34-36页 |
| ·EPIP抗疲劳性测试 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 Cu_2S薄膜整流效应探究 | 第39-50页 |
| ·室温下I-V特性 | 第39-44页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·Ag-gluc/Cu_2S结构 | 第39-41页 |
| ·Pt/Cu_2S/Cu/Pt结构与Pt/Cu_2S结构 | 第41-42页 |
| ·Ag/Cu_2s/Cu/Ag结构与Ag/Cu_2S结构 | 第42-44页 |
| ·低温下I-V特性 | 第44-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 结沦与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
