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基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析

作者简介第1-4页
摘要第4-6页
Abstract第6-10页
第一章 绪论第10-20页
   ·集成电路的发展历程第10-11页
   ·互连问题与现有应对策略第11-15页
   ·三维集成第15-18页
     ·三维集成的优势第15-16页
     ·三维集成的挑战第16-18页
   ·主要工作与结构安排第18-20页
第二章 3-D ICs全局互连设计第20-36页
   ·引言第20页
   ·线长分布模型第20-27页
     ·分布推导第20-25页
     ·结果比较第25-27页
   ·全局互连的设计空间第27-34页
     ·设计约束第28-32页
     ·设计空间应用第32-34页
   ·小结第34-36页
第三章 考虑TSV寄生效应的 3-D互连线设计第36-50页
   ·引言第36页
   ·TSV制备第36-41页
   ·TSV RLC寄生参数提取第41-43页
   ·包含TSV寄生效应的互连线模型第43-49页
     ·互连延时第43-45页
     ·互连功耗第45-46页
     ·模型验证与比较第46-49页
   ·小结第49-50页
第四章 信号时延与反射驱动的TSV布局设计第50-62页
   ·引言第50页
   ·3-D互连线延时第50-55页
     ·RC延时模型第50-53页
     ·RLC延时模型第53-55页
   ·信号反射第55-57页
   ·多目标协同优化第57-61页
     ·优化算法第57-58页
     ·结果比较第58-61页
   ·小结第61-62页
第五章 3-D芯片热管理与优化第62-78页
   ·引言第62页
   ·考虑TSV传导的热传输解析模型第62-70页
     ·模型推导第62-65页
     ·验证与比较第65-70页
   ·热驱动优化技术第70-76页
     ·布图规划第70-73页
     ·布局第73-74页
     ·热通孔插入第74-76页
   ·小结第76-78页
第六章 碳纳米管TSV连线设计第78-94页
   ·引言第78页
   ·碳纳米管结构与特性第78-81页
   ·单壁碳纳米管及单壁碳纳米管束的建模第81-85页
     ·电阻模型第81-82页
     ·电容模型第82-84页
     ·电感模型第84页
     ·互连线等效电路模型第84-85页
   ·性能分析与比较第85-92页
     ·电阻率第86-87页
     ·局部互连线第87-89页
     ·中间层互连与全局互连第89-91页
     ·非理想接触电阻的影响第91-92页
   ·小结第92-94页
第七章 总结与展望第94-98页
   ·总结第94-95页
   ·未来工作展望第95-98页
致谢第98-100页
参考文献第100-110页
攻读博士期间参与的研究工作与成果第110-111页

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