集成器件的高功率微波效应研究与相应防护
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·研究意义 | 第10-11页 |
| ·研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 HPM 损伤机理 | 第13-25页 |
| ·HPM 概述 | 第13-17页 |
| ·HPM 的基本概念 | 第13页 |
| ·高功率微波武器 | 第13-15页 |
| ·高功率微波武器的关键技术 | 第15-17页 |
| ·HPM 辐照损伤机理 | 第17-21页 |
| ·HPM 效应 | 第17-19页 |
| ·已知的半导体器件的损伤机理 | 第19-21页 |
| ·半导体器件在 HPM 辐照下的机理分析 | 第21-25页 |
| 第三章 HPM 诱发的闩锁效应 | 第25-43页 |
| ·CMOS 闩锁效应 | 第25-28页 |
| ·CMOS 闩锁触发机理 | 第25-26页 |
| ·已知的 CMOS 闩锁触发方式 | 第26-28页 |
| ·HPM 作用下 CMOS 反相器闩锁触发机理 | 第28-32页 |
| ·仿真 CMOS 反相器 | 第29-30页 |
| ·MOS 中的寄生电容 | 第30页 |
| ·HPM 作用下闩锁触发机理 | 第30-32页 |
| ·仿真分析与验证 | 第32-38页 |
| ·仿真分析 | 第32-36页 |
| ·频率影响 | 第36-37页 |
| ·实验验证 | 第37-38页 |
| ·防护措施 | 第38-40页 |
| ·传统的闩锁防护方法 | 第38-39页 |
| ·针对性防护方法 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-43页 |
| 第四章 HPM 诱发的晶体管退化与畸变研究 | 第43-57页 |
| ·实验现象 | 第43-46页 |
| ·仿真模型 | 第46-47页 |
| ·器件结构与仿真条件 | 第46页 |
| ·物理模型 | 第46-47页 |
| ·仿真结果与分析 | 第47-51页 |
| ·仿真结果 | 第47-49页 |
| ·功率效应 | 第49-51页 |
| ·晶体管特性畸变的机理分析 | 第51-54页 |
| ·防护措施 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第65-66页 |
