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MOCVD法生长ZnO的发光性质及Na掺杂研究

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
目录第9-11页
第一章 前言第11-13页
第二章 文献综述第13-33页
   ·氧化锌的基本性质第13-15页
   ·氧化锌的结构特性第15-17页
     ·体单晶第15页
     ·薄膜第15-16页
     ·纳米结构第16-17页
   ·氧化锌的光电性能第17-22页
     ·能带结构第17-19页
     ·氧化锌中的掺杂第19-22页
       ·本征缺陷第19页
       ·n型掺杂第19-21页
       ·p型掺杂第21-22页
   ·氧化锌的光学特性第22-28页
     ·近带边发光第22-27页
     ·深能级发光第27-28页
   ·ZnO基光电器件研究第28-32页
     ·p-n结发光二极管第28-30页
       ·同质结第28-29页
       ·异质结第29-30页
     ·MIS结构发光二极管第30页
     ·增强ZnO基材料发光第30-32页
   ·本文研究思路第32-33页
第三章 实验原理、生长工艺及评价手段第33-41页
   ·金属有机化学气相沉积第33-38页
     ·原理第33-36页
     ·原料与工艺第36页
     ·专用常压MOCVD设备的研制第36-38页
   ·电子束蒸发第38-39页
     ·原理第38-39页
     ·原料与工艺第39页
   ·衬底及清洗方法第39页
   ·测试方法第39-41页
第四章 ZnO纳米结构的光学性质第41-66页
   ·ZnO薄膜与ZnO纳米棒状阵列的生长条件研究第41-47页
   ·ZnO纳米棒阵列的光学性质:自由激子第47-58页
   ·ZnO纳米棒阵列的光学性质:表面激子第58-65页
   ·本章小结第65-66页
第五章 表面等离激元共振增强ZnO的发光第66-86页
   ·表面等离激元共振的基础理论第66-69页
   ·金属表面等离激元共振的选择第69-72页
   ·金属铝的表面等离激元共振增强ZnO带边发射第72-79页
   ·SPR增强MIS结构的电致发光第79-85页
   ·本章小结第85-86页
第六章 MOCVD法生长Na掺杂ZnO第86-97页
   ·Na的金属有机源第86-87页
   ·Na源温度对MOCVD法生长Na掺杂ZnO薄膜性能的影响第87-89页
   ·衬底温度对MOCVD生长Na掺杂ZnO薄膜性能的影响第89-92页
   ·ZnO单晶衬底同质PN结第92-96页
   ·本章小结第96-97页
第七章 结论第97-99页
   ·全文总结第97-98页
   ·本文主要创新点第98页
   ·未来工作展望第98-99页
参考文献第99-117页
致谢第117-119页
个人简历第119-121页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第121-123页

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