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硼纳米管的端口效应和Cu/TaN界面的结构模拟

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
1 绪论第10-15页
   ·纳米管的研究进展概述第10页
   ·硼纳米管的研究进展第10-12页
   ·界面的结构研究进展第12-13页
   ·原子间相互作用势第13-14页
   ·论文的研究内容第14-15页
2 第一性原理的理论基础和计算方法第15-22页
   ·从头计算方法第15-17页
     ·多粒子体系的薛定谔方程第15页
     ·从头计算方法的三个近似第15-17页
   ·密度泛函理论第17-19页
     ·Thomas-Fermi 模型第17-18页
     ·Kohn-Sham 方法第18-19页
   ·固体能带论的相关问题第19-20页
     ·固体能带理论计算方法第19-20页
     ·赝势第20页
     ·Dmol3和Castep模块简介第20页
   ·Chen-Mobius反演方法简介第20-22页
3 硼纳米管的第一性原理研究第22-33页
   ·引言第22-24页
   ·计算方法第24页
   ·模型的构建第24-26页
   ·结果与讨论第26-32页
   ·小结第32-33页
4 Cu 和 TaN 体材料对势的反演第33-38页
   ·前言第33-34页
   ·计算方法第34页
   ·Cu 和 TaN 势参数的获得和检验第34-37页
   ·TaN 原子间相互作用势参数应用于其它几种比例结构 Ta_xN_y的效果第37-38页
5 Cu/TaN 界面结构性质及位错的研究第38-60页
   ·前言第38-39页
   ·界面反演公式的推导第39-44页
   ·界面粘结能曲线的计算第44-45页
   ·界面二体势的反演第45-48页
   ·界面的位错第48-58页
     ·位错模型的构造及计算方法第48-49页
     ·位错结构的结果分析第49-56页
     ·位错密度第56-58页
   ·小结第58-60页
结论第60-61页
参考文献第61-69页
致谢第69页

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