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FPGA中BRAM的设计

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·课题研究背景及来源第8页
   ·嵌入式存储器的简介第8-10页
     ·存储器的发展现状第8-9页
     ·SRAM 的发展趋势第9页
     ·SRAM 设计面临的挑战第9-10页
   ·论文的技术要点及主要工作第10-11页
     ·技术要点第10页
     ·主要工作第10-11页
     ·设计中主要使用工具第11页
   ·论文章节组成第11-12页
第二章 FPGA 的体系结构介绍第12-18页
   ·FPGA 的可编程资源简介第12-16页
     ·可编程逻辑模块 CLB第13-14页
     ·输入输出块 IOB第14-15页
     ·互连资源第15-16页
   ·本章小结第16-18页
第三章 BRAM 中静态存储单元的设计第18-36页
   ·BRAM 的设计目标第18-21页
     ·BRAM 的设计思想第18-20页
     ·BRAM 结构设计第20-21页
   ·SRAM 存储单元结构分析第21-22页
   ·8T SRAM 存储单元噪声容限分析第22-27页
     ·8T SRAM 静态噪声容限的推导分析第23-25页
     ·存储单元静态噪声容限的仿真第25-27页
   ·读写尺寸约束设计第27-31页
     ·读操作对存储单元尺寸的约束第27-29页
     ·写操作对存储单元尺寸的约束第29-31页
   ·8T SRAM 单元尺寸调整与仿真第31-34页
   ·SRAM 存储单元版图简介第34-35页
   ·本章小结第35-36页
第四章 BRAM 中灵敏放大器设计第36-44页
   ·灵敏放大器概述第36-37页
     ·灵敏放大器的作用第36-37页
   ·灵敏放大器的设计第37-42页
     ·改进后灵敏放大器的结构和仿真第40-41页
     ·灵敏放大器和 cell 单元的匹配关系仿真第41-42页
   ·本章小结第42-44页
第五章 BRAM 中外围电路结构设计第44-60页
   ·译码电路第44-47页
     ·地址输入锁存电路第44-45页
     ·行译码电路第45页
     ·列译码电路第45页
     ·位宽选择电路第45-46页
     ·写数据通路第46-47页
   ·读写控制逻辑设计第47-54页
     ·写数据控制第48页
     ·读数据控制第48页
     ·小脉冲电路第48-50页
     ·读写操作电路第50-51页
     ·读写操作过程分析第51-54页
   ·初始化/回读控制电路设计第54-57页
     ·初始化/回读过程分析第54-57页
     ·初始化/回读电路的 nanosim 功能仿真第57页
   ·SRAM 阵列结构设计第57-58页
     ·设计目标第57-58页
     ·阵列结构设计第58页
   ·本章小结第58-60页
第六章 仿真验证第60-70页
   ·BRAM 功能仿真验证第60-66页
     ·初始化/回读仿真第60页
     ·对三种模式进行仿真第60-62页
     ·单口 BRAM 功能测试第62-63页
     ·双口 BRAM 功能测试第63-65页
     ·通过配置改变跳变沿进行仿真测试第65页
     ·BRAM 的 ROM 功能测试第65-66页
   ·对 BRAM 的主要时序通路进行仿真第66-68页
     ·主要时序参数定义第66页
     ·时序参数仿真结果第66-68页
   ·本章小结第68-70页
第七章 结论第70-72页
致谢第72-74页
参考文献第74-76页
研究成果第76-77页

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