倍压型移动式加速器束流光学研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·加速器中子源 | 第9-12页 |
| ·加速器中子源及其应用 | 第9-10页 |
| ·加速器中子源研究现状 | 第10-11页 |
| ·倍压型移动式加速器中子源 | 第11-12页 |
| ·倍压型移动式加速器束流光学系统 | 第12-17页 |
| ·加速器束流光学研究历史和现状 | 第12-13页 |
| ·倍压型移动式加速器束流光学系统基本构成 | 第13-17页 |
| ·本论文的研究目的与研究内容 | 第17-19页 |
| ·研究目的 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 高频离子源及其引出特性研究 | 第19-39页 |
| ·离子源束流引出原理 | 第19-20页 |
| ·离子源束流引出研究方法 | 第20-21页 |
| ·离子源发射面位置的计算 | 第21-27页 |
| ·方法的提出 | 第21-22页 |
| ·发射面计算方法及结果 | 第22-25页 |
| ·发射面位置计算的验证 | 第25-27页 |
| ·高频离子源束流引出模拟 | 第27-32页 |
| ·引出结构及初始条件设置 | 第27-28页 |
| ·引出电压对引出束流的影响 | 第28-31页 |
| ·电极间距l对引出束流的影响 | 第31-32页 |
| ·高频离子源及其引出特性实验 | 第32-37页 |
| ·高频离子源实验 | 第32页 |
| ·放电管温度分布 | 第32-34页 |
| ·引出束流与引出电压及气压的关系 | 第34-36页 |
| ·引出束流与磁场强度的关系 | 第36页 |
| ·高频离子源的引出束流 | 第36-37页 |
| ·本章内容小结 | 第37-39页 |
| 第3章 倍压型移动式加速器束流传输段的设计 | 第39-54页 |
| ·轴对称静电场元件的束流光学模拟程序 | 第39-45页 |
| ·概述 | 第39页 |
| ·束流状态描述 | 第39-41页 |
| ·折点近似法 | 第41-42页 |
| ·强流束的束流传输 | 第42-43页 |
| ·程序实现 | 第43页 |
| ·与其它程序的对比 | 第43-45页 |
| ·加速管结构 | 第45-48页 |
| ·概述 | 第45页 |
| ·加速电极 | 第45-46页 |
| ·绝缘环 | 第46-47页 |
| ·屏蔽电极 | 第47页 |
| ·均压和过压保护 | 第47-48页 |
| ·倍压型移动式加速器束流传输计算 | 第48-53页 |
| ·束流初始状态 | 第48-49页 |
| ·预聚焦透镜对束流传输的影响 | 第49页 |
| ·预聚焦透镜及加速管中的电势分布 | 第49-50页 |
| ·预聚焦透镜及加速管中的束流传输模拟 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 二次电子发射及抑制研究 | 第54-67页 |
| ·二次电子发射及抑制研究的意义 | 第54页 |
| ·离子诱发二次电子发射的半经验理论 | 第54-56页 |
| ·TiD_2靶的二次电子产额测量 | 第56-62页 |
| ·实验装置 | 第56页 |
| ·靶表面处理 | 第56-58页 |
| ·TiD_2和Ti表面的二次电子产额 | 第58-61页 |
| ·份额因子B的确定 | 第61-62页 |
| ·倍压型移动式加速器的二次电子抑制 | 第62-65页 |
| ·二次电子抑制结构 | 第62页 |
| ·二次电子的磁抑制 | 第62-63页 |
| ·二次电子的静电抑制 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 结论与展望 | 第67-69页 |
| ·本文的主要结论 | 第67页 |
| ·论文主要创新点 | 第67-68页 |
| ·未来工作展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 附录 | 第76页 |
