| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-14页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文研究的内容与结构 | 第12-14页 |
| 第二章 辐射环境和基本辐射效应 | 第14-19页 |
| ·辐射环境 | 第14-17页 |
| ·空间辐射环境 | 第14-15页 |
| ·宇宙射线 | 第14-15页 |
| ·太阳宇宙射线 | 第15页 |
| ·范·艾伦辐射带 | 第15页 |
| ·人造辐射环境 | 第15-17页 |
| ·核爆炸辐射环境 | 第15-16页 |
| ·地面实验室模拟辐射环境 | 第16-17页 |
| ·基本辐射效应 | 第17-18页 |
| ·电离损伤 | 第17-18页 |
| ·位移损伤 | 第18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| 第三章 电离、位移辐射损伤的物理机理 | 第19-29页 |
| ·电离辐射损伤的物理机理 | 第19-23页 |
| ·辐射感生氧化物正电荷 | 第19-21页 |
| ·辐射感生界面陷阱电荷 | 第21-23页 |
| ·位移辐射损伤的物理机理 | 第23-27页 |
| ·位移损伤缺陷的形成 | 第23-25页 |
| ·位移损伤缺陷对器件电参数的影响 | 第25-27页 |
| ·位移损伤对双极器件的影响 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第四章 模拟数字转换器(ADC)测试系统和实验方法 | 第29-35页 |
| ·测试系统 | 第29-32页 |
| ·测试原理 | 第29-30页 |
| ·主要测试参数 | 第30-32页 |
| ·实验方法 | 第32-34页 |
| ·实验样品及实施过程 | 第32-34页 |
| ·实验研究内容 | 第34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第五章 不同辐照源下 10 位 CMOS 模数转换器辐射损伤机理和退火效应的分析 | 第35-43页 |
| ·不同电子能量辐照下 AD7910 辐射损伤效应研究 | 第35-39页 |
| ·功耗电流、INL、DNL 的辐照响应特性及退火规律 | 第35-36页 |
| ·失码(Miss Code)的辐照响应特性及退火规律 | 第36-39页 |
| ·不同辐照源下 CMOS AD7910 辐射损伤等效性研究 | 第39-42页 |
| ·功耗电流、INL、DNL 的辐照响应特性及退火规律 | 第39-40页 |
| ·失码(Miss Code)的辐照响应特性及退火规律 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第六章 不同辐照源下 10 位双极模数转换器辐射损伤机理和退火效应的分析 | 第43-59页 |
| ·~(60)Co γ辐照下 AD571 高、低剂量率辐射损伤效应的研究 | 第43-48页 |
| ·失码、INL、DNL 的辐照响应特性及退火规律 | 第43-44页 |
| ·增益误差(Eg)的辐照响应特性及退火规律 | 第44-48页 |
| ·不同电子能量辐照下 AD571 辐射损伤效应的研究 | 第48-52页 |
| ·INL、DNL、失码、功耗的辐照响应特性及退火规律 | 第48-49页 |
| ·增益误差(Eg)的辐照响应特性及退火规律 | 第49-52页 |
| ·相同电子能量辐照下器件掀盖和不掀盖辐射损伤效应研究 | 第52-54页 |
| ·功耗、DNL、INL、失码的辐射损伤规律 | 第52页 |
| ·增益误差(Eg)的辐射损伤规律 | 第52-54页 |
| ·不同辐照源下 AD571 辐射损伤等效性研究 | 第54-57页 |
| ·功耗、DNL、INL、失码的辐照响应特性及退火规律 | 第54-56页 |
| ·增益误差(Eg)的辐照响应特性及退火规律 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第七章 结论及展望 | 第59-62页 |
| ·论文的主要结论 | 第59-60页 |
| ·研究工作的展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 发表文章 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
