| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·本课题研究的目的和意义 | 第12页 |
| ·氮化硅薄膜与硬盘磁头保护膜（DLC）简介 | 第12-24页 |
| ·氮化硅薄膜简介与研究现状 | 第12-19页 |
| ·磁头表面沉积DLC薄膜的现状 | 第19-24页 |
| ·本文主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 Si_xN_y薄膜的制备与表征 | 第25-38页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·Si_xN_y薄膜的制备 | 第25-30页 |
| ·ECR-CVD工艺原理及特点 | 第25-27页 |
| ·Si_xN_y薄膜的生长机理 | 第27页 |
| ·Si_xN_y薄膜的制备 | 第27-30页 |
| ·Si_xN_y薄膜的表征方法 | 第30-37页 |
| ·X射线光电子能谱仪 | 第30-32页 |
| ·俄歇电子能谱仪 | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜 | 第33-34页 |
| ·电阻测量仪 | 第34-35页 |
| ·椭偏仪 | 第35-36页 |
| ·草酸腐蚀试验 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 DLC/Si_xN_y磁头保护膜成分结构和表面状态的分析 | 第38-65页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·DLC/Si_xN_y薄膜成分分析 | 第38-42页 |
| ·不同N_2流量下薄膜中N含量分析 | 第38-40页 |
| ·不同衬底偏压下薄膜中N含量分析 | 第40-42页 |
| ·DLC/Si_xN_y薄膜化学结构的XPS分析 | 第42-55页 |
| ·不同N_2流量下薄膜化学结构的XPS分析 | 第42-49页 |
| ·不同衬底偏压下薄膜化学结构的XPS分析 | 第49-55页 |
| ·薄膜深度分析 | 第55-59页 |
| ·不同N_2流量下薄膜深度分析 | 第55-57页 |
| ·不同衬底偏压下薄膜深度分析 | 第57-59页 |
| ·DLC/Si_xN_y薄膜表面状态分析 | 第59-64页 |
| ·不同N2 流量下薄膜表面状态分析 | 第59-62页 |
| ·不同衬底偏压下薄膜表面状态分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 DLC/Si_xN_y磁头保护膜的性能 | 第65-76页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·DLC/Si_xN_y薄膜电学性能分析 | 第65-68页 |
| ·不同N_2流量下薄膜电阻分析 | 第65-66页 |
| ·不同衬底偏压下薄膜电阻分析 | 第66-68页 |
| ·Si_xN_y对DLC薄膜光学性能的影响与分析 | 第68-70页 |
| ·不同N_2流量下薄膜的N_s与K_s分析 | 第69页 |
| ·不同沉底偏压下薄膜的N_s与K_s分析 | 第69-70页 |
| ·Si_xN_y对DLC薄膜抗腐蚀性能的影响与分析 | 第70-75页 |
| ·不同N_2流量下薄膜的抗腐蚀性能分析 | 第71-72页 |
| ·不同沉底偏压下薄膜的抗腐蚀性能分析 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 致谢 | 第86页 |