Si晶体中30度位错运动的分子动力学研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第1章 绪论	第9-17页
·课题背景	第9页
·半导体材料硅中的位错缺陷	第9-13页
·硅中失配位错的产生	第9-10页
·硅中位错的结构	第10-11页
·硅中位错的运动方式	第11-13页
·NEB方法介绍	第13-15页
·主要研究内容	第15-17页
第2章 位错及分子动力学的基本理论	第17-38页
·前言	第17页
·位错理论	第17-26页
·位错基本知识	第17-21页
·位错的运动	第21-24页
·位错的能量	第24-26页
·分子动力学	第26-37页
·分子动力学介绍	第26-28页
·常用的势函数	第28-32页
·模型边界条件的确定	第32-33页
·应力施加算法	第33-35页
·分子动力学中的积分算法	第35-37页
·本章小结	第37-38页
第3章 30 度位错中弯结的运动特性模拟	第38-44页
·前言	第38页
·模型建立	第38-39页
·模拟结果及分析	第39-43页
·30 度位错中弯结的速度模拟	第39-42页
·NEB方法计算迁移势垒	第42-43页
·本章小结	第43-44页
第4章 30 度位错中弯结-RD的运动特性模拟	第44-50页
·前言	第44页
·模型建立	第44页
·模拟结果及分析	第44-49页
·30 度位错中RC和LC的速度模拟	第44-46页
·RC与LC迁移势垒的计算	第46-49页
·本章小结	第49-50页
结论	第50-51页
参考文献	第51-56页
致谢	第56页