| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-10页 |
| 第一章 引 言 | 第10-27页 |
| 1．1 HEMT的发展简史 | 第10-12页 |
| 1．2 高速电子迁移率晶体管材料结构的演变 | 第12-19页 |
| 1．2．1 第一阶段：HEMT | 第13-14页 |
| 1．2．2 第二阶段：pHEMT | 第14-15页 |
| 1．2．3 第三阶段：InP系HEMT | 第15-19页 |
| 1．3 HEMT＆pHEMT在微波毫米波集成电路中的应用 | 第19-25页 |
| 1．3．1 HEMT＆pHEMT国外发展现状 | 第19-24页 |
| 1．3．2 HEMT＆pHEMT国内发展现状 | 第24-25页 |
| 1．4 目前发展中存在的问题 | 第25-26页 |
| 1．5 本论文研究主要内容 | 第26-27页 |
| 第二章 pHEMT电特性原理 | 第27-44页 |
| 2．1 pHEMT与MESFET的区别 | 第27-28页 |
| 2．2 二维电子气 | 第28-36页 |
| 2．2．1 二维电子气的形成 | 第28-30页 |
| 2．2．2 pHEMT的材料结构与二维电子气浓度的关系 | 第30-36页 |
| 2．3 电流—电压特性 | 第36-40页 |
| 2．4 电容—电压特性 | 第40-41页 |
| 2．5 小信号特性 | 第41-43页 |
| 2．6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 pHEMT MMIC工艺技术研究 | 第44-59页 |
| 3．1 pHEMT材料生长技术 | 第44-46页 |
| 3．2 pHEMT MMIC工艺流程 | 第46-50页 |
| 3．2．1 台面隔离技术 | 第46-47页 |
| 3．2．2 电极形成技术 | 第47-48页 |
| 3．2．3 光刻技术 | 第48-49页 |
| 3．2．4 金属剥离技术 | 第49-50页 |
| 3．2．5 钝化工艺技术 | 第50页 |
| 3．3 多层材料结构的选择性湿法腐蚀技术研究 | 第50-54页 |
| 3．3．1 实验方法与实验结果 | 第51-53页 |
| 3．3．2 凹槽深度对pHEMT性能的影响 | 第53-54页 |
| 3．3．3 结论 | 第54页 |
| 3．4 氮化硅钝化保护工艺研究 | 第54-58页 |
| 3．4．1 实验方法 | 第54-56页 |
| 3．4．2 结果与讨论 | 第56-57页 |
| 3．4．3 结论 | 第57-58页 |
| 3．5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 低噪声pHEMT小信号等效电路参数提取 | 第59-75页 |
| 4．1 理论设计 | 第59-63页 |
| 4．1．1 电学设计 | 第59-61页 |
| 4．1．2 噪声系数定义 | 第61-62页 |
| 4．1．3 噪声等效电路 | 第62-63页 |
| 4．2 低噪声pHEMT结构设计 | 第63-66页 |
| 4．2．1 pHEMT材料结构 | 第64页 |
| 4．2．2 pHEMT沟道形状 | 第64-66页 |
| 4．2．3 电极图形的制作 | 第66页 |
| 4．3 pHEMT小信号等效电路参数提取 | 第66-74页 |
| 4．3．1 pHEMT小信号等效电路模型 | 第67-68页 |
| 4．3．2 参数提取 | 第68-73页 |
| 4．3．3 实际器件参数提取 | 第73-74页 |
| 4．3．4 结论 | 第74页 |
| 4．4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 PHEMT微波单片集成电路研究 | 第75-95页 |
| 5．1 pHEMT几何结构参数、物理参数与微波参数的关系 | 第75-76页 |
| 5．2 pHEMT几何结构设计 | 第76-77页 |
| 5．3 无源元件与输入输出匹配网络设计 | 第77-85页 |
| 5．3．1 MMIC无源元件 | 第77-81页 |
| 5．3．2 输入、输出匹配网络的基本形式 | 第81-85页 |
| 5．4 pHEMT的直流和交流特性分析方法 | 第85-88页 |
| 5．4．1 pHEMT直流特性 | 第85-86页 |
| 5．4．2 pHEMT交流特性 | 第86-88页 |
| 5．5 pHEMT单片集成放大器设计 | 第88-91页 |
| 5．6 pHEMT单片集成双平衡混频器设计 | 第91-94页 |
| 5．7 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 结束语 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 发表文章目录 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
