摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-14页 |
第一章 绪论 | 第14-40页 |
·引言 | 第14-15页 |
·X射线光源 | 第15-20页 |
·常规X射线 | 第15-17页 |
·同步辐射光源 | 第17-20页 |
·X射线探测器 | 第20-22页 |
·同步辐射X射线光学器件 | 第22-27页 |
·单色器 | 第22页 |
·聚焦镜 | 第22-25页 |
·单次反射毛细管 | 第25-27页 |
·X射线衍射基础 | 第27-37页 |
·晶体中的对称性 | 第27-30页 |
·X射线衍射理论 | 第30-37页 |
参考文献 | 第37-40页 |
第二章 NSRL X射线衍射与散射实验线站 | 第40-60页 |
·引言 | 第40页 |
·合肥光源 | 第40-41页 |
·XRDS光束线 | 第41-45页 |
·压弯聚焦镜 | 第43-44页 |
·双晶单色器 | 第44-45页 |
·XRDS实验站 | 第45-48页 |
·仪器设备 | 第45-47页 |
·控制系统 | 第47-48页 |
·XRDS性能测试 | 第48-52页 |
·光斑尺寸 | 第48-49页 |
·波长标定 | 第49-50页 |
·通量测量 | 第50-51页 |
·能量分辨率 | 第51-52页 |
·XRDS在材料学中的典型应用 | 第52-57页 |
·Si/C 20周期多层膜 | 第52-53页 |
·Si标准粉末样品的全谱扫描 | 第53-54页 |
·弛豫铁电体的极化团簇结构 | 第54-55页 |
·[Ho_2(BDC)_3(H_2O)_2]_n单晶结构测定 | 第55-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第三章 对半导体薄膜的XRD研究 | 第60-91页 |
·引言 | 第60页 |
·对ZnO薄膜的X射线衍射分析 | 第60-81页 |
·ZnO的晶体结构 | 第61页 |
·脉冲激光沉积(PLD) | 第61-63页 |
·ZnO薄膜的制备 | 第63-64页 |
·利用CCD采集GID数据 | 第64-66页 |
·GID研究ZnO与不同衬底的界面结构 | 第66-69页 |
·GID研究ZnO/Al_2O_3界面结构 | 第69-73页 |
·非对称衍射研究ZnO的界面结构 | 第73-81页 |
·对SiC薄膜的X射线衍射分析 | 第81-89页 |
·SiC的晶体结构 | 第81-82页 |
·分子束外延生长(MBE) | 第82-84页 |
·SiC薄膜的制备 | 第84页 |
·GID研究同质外延SiC薄膜的界面结构 | 第84-86页 |
·GID研究SiC/Si薄膜的界面结构 | 第86-88页 |
·非对称衍射研究SiC/Si的界面结构 | 第88-89页 |
·本章小结 | 第89页 |
参考文献 | 第89-91页 |
第四章 微束X射线散射 | 第91-118页 |
·引言 | 第91页 |
·如何得到微束X射线? | 第91-99页 |
·CHESS,D-line的光束线和实验站 | 第91-92页 |
·微束光斑的特性 | 第92-95页 |
·微束光斑的调试 | 第95-99页 |
·微束X射线小角散射实验(μSAXS) | 第99-106页 |
·样品情况 | 第100-101页 |
·实验结果与讨论 | 第101-106页 |
·小结 | 第106页 |
·微束X射线掠入射光角散射实验(μGIWAXS) | 第106-115页 |
·μGIWAXS vs μSAXS | 第107-109页 |
·样品情况 | 第109页 |
·实验结果与讨论 | 第109-114页 |
·小结 | 第114-115页 |
·本章小结 | 第115页 |
参考文献 | 第115-118页 |
第五章 铁磁单质薄膜的XMCD研究 | 第118-142页 |
·引言 | 第118页 |
·XMCD的基本原理及实验技术 | 第118-123页 |
·XMCD的基本原理 | 第118-122页 |
·XMCD的实验技术 | 第122-123页 |
·软X射线磁性圆二色光束线站介绍 | 第123-126页 |
·XMCD光束线 | 第123-125页 |
·XMCD实验站 | 第125-126页 |
·XMCD对纳米铁磁性薄膜的研究 | 第126-139页 |
·Fe/MgO单晶膜的轨道磁矩和自旋磁矩 | 第127-131页 |
·Fe/MgO单晶薄膜的面内磁各向异性 | 第131-134页 |
·Co膜厚度效应的XMCD研究 | 第134-139页 |
·小结 | 第139页 |
·本章小结 | 第139-140页 |
参考文献 | 第140-142页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第142-144页 |
致谢 | 第144页 |