| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| ·稀磁半导体材料的研究现状 | 第10-11页 |
| ·SiC的基本性质及其应用 | 第11-13页 |
| ·薄膜生长 | 第13-15页 |
| ·稀磁半导体材料器件的应用前景 | 第15页 |
| ·本论文的研究思路和主要内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备 | 第19-29页 |
| ·薄膜的制备 | 第19-26页 |
| ·基片的清洗 | 第26-27页 |
| ·样品的退火处理 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 薄膜的表征 | 第29-47页 |
| ·膜厚的测量 | 第29-30页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第30-31页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| ·扫描电子显微镜分析(SEM) | 第32页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第32-33页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析(FTIR) | 第33-36页 |
| ·喇曼光谱(Raman) | 第36-39页 |
| ·紫外—可见光透射 | 第39-41页 |
| ·光致发光分析(PL) | 第41-43页 |
| ·超导量子干涉(SQUID) | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 Cr掺杂 SiC薄膜的结构和光致发光性质 | 第47-55页 |
| ·Cr—SiC薄膜的 XRD谱 | 第47-48页 |
| ·Cr—SiC薄膜的 SEM图 | 第48-49页 |
| ·Cr—SiC薄膜的 XPS测试分析 | 第49页 |
| ·Cr—SiC薄膜的Raman分析 | 第49-51页 |
| ·Cr—SiC薄膜的 PL分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第五章 双离子束溅射室温沉积生长 SiC薄膜 | 第55-63页 |
| ·SiC薄膜的结构 | 第55-58页 |
| ·SiC薄膜光吸收特性 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 双离子束溅射制备 Cr掺杂 SiC薄膜电学和磁学性质 | 第63-71页 |
| ·Cr—SiC薄膜的结构 | 第63-66页 |
| ·Cr—SiC薄膜的电学性质 | 第66页 |
| ·Cr—SiC薄膜的磁学性质 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第七章 结论 | 第71-73页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 详细摘要 | 第75-77页 |