| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·半导体激光器的发展历史 | 第9-12页 |
| ·应变量子阱激光器的发展历程 | 第12-13页 |
| ·半导体激光器的应用 | 第13-14页 |
| ·大功率半导体激光器阵列的应用及国内外发展现状趋势 | 第14-18页 |
| ·大功率半导体激光器阵列概述 | 第14-15页 |
| ·大功率半导体激光器阵列的应用 | 第15-16页 |
| ·大功率半导体激光器阵列的国内外发展现状 | 第16-17页 |
| ·大功率半导体激光器阵列的发展趋势 | 第17-18页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第18-19页 |
| 第2章 大功率半导体激光器阵列理论 | 第19-31页 |
| ·应变效应分析 | 第19-22页 |
| ·晶格失配与应变 | 第19-20页 |
| ·应变对能带结构的影响 | 第20-21页 |
| ·临界厚度 | 第21-22页 |
| ·InGaAs 应变量子阱激光器特性 | 第22-28页 |
| ·增益特性 | 第22-23页 |
| ·阈值电流特性 | 第23页 |
| ·偏振选择性 | 第23页 |
| ·热特性 | 第23-27页 |
| ·热源产生分析 | 第24-26页 |
| ·半导体激光器的热功率 | 第26页 |
| ·半导体激光器的热阻 | 第26-27页 |
| ·温度特性 | 第27-28页 |
| ·温度对阈值电流的影响 | 第27页 |
| ·温度对激射波长的影响 | 第27-28页 |
| ·大功率半导体激光器阵列耦合模理论 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 大功率半导体激光器线阵列结构设计 | 第31-46页 |
| ·单量子阱结构激光器结构设计及外延生长 | 第31-38页 |
| ·单量子阱结构激光器组分和势阱宽度的确定 | 第31-38页 |
| ·组分 | 第32页 |
| ·势阱宽度 | 第32-34页 |
| ·波导层厚度和限制层Al 组分 | 第34-37页 |
| ·总体结构设计 | 第37-38页 |
| ·半导体激光器线阵列的结构设计 | 第38-40页 |
| ·半导体激光器线阵列的隔离槽深度的设计 | 第40-44页 |
| ·电流扩展理论分析 | 第40-41页 |
| ·隔离槽变深度实验 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 大功率半导体激光器线阵列制备工艺与分析 | 第46-62页 |
| ·器件制备的工艺流程 | 第46-48页 |
| ·材料制备工艺——MOCVD 简介 | 第48-49页 |
| ·芯片加工工艺——主要工艺介绍 | 第49-61页 |
| ·光刻 | 第49-54页 |
| ·基本概念 | 第49-50页 |
| ·光刻类型 | 第50-51页 |
| ·光刻工艺步骤 | 第51页 |
| ·本实验光刻工艺条件 | 第51-54页 |
| ·溅射 | 第54-56页 |
| ·溅射工艺简介 | 第54页 |
| ·本实验溅射条件 | 第54-56页 |
| ·PECVD 淀积 | 第56-57页 |
| ·淀积基本概念 | 第56页 |
| ·PECVDSi02 基本实验概况 | 第56-57页 |
| ·本实验PECVD 条件 | 第57页 |
| ·ICP 干法刻蚀 | 第57-61页 |
| ·刻蚀参数 | 第57-60页 |
| ·刻蚀机理 | 第60页 |
| ·ICP 刻蚀概念 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 大功率半导体激光器线阵列的封装研究 | 第62-72页 |
| ·微通道热沉简介 | 第62-67页 |
| ·微通道热沉设计原则及分类 | 第62-63页 |
| ·热沉材料的选择 | 第63-65页 |
| ·冷却液的选择 | 第65-66页 |
| ·微通道热沉的优化设计 | 第66-67页 |
| ·微通道热沉的相关理论 | 第67-70页 |
| ·微通道热沉的热模型分析 | 第67-68页 |
| ·微通道热沉的热阻 | 第68-70页 |
| ·半导体激光器线阵列封装实验 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |