| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-42页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·TiC 膜及DLC 膜 | 第12-15页 |
| ·TiC 膜及其性能 | 第12页 |
| ·DLC 膜的结构 | 第12-14页 |
| ·DLC 膜的力学及摩擦学性能 | 第14-15页 |
| ·碳化物/非晶碳相复合膜 | 第15-20页 |
| ·碳化物/非晶碳相复合膜的力学及摩擦学性能 | 第15-17页 |
| ·TiC/a-C:H 膜 | 第17-20页 |
| ·TiC/a-C:H 膜的成分与结构 | 第17-18页 |
| ·TiC/a-C:H 膜的力学性能 | 第18-19页 |
| ·TiC/a-C:H 膜的摩擦学性能 | 第19-20页 |
| ·铝合金的表面改性 | 第20-22页 |
| ·离子注入对于铝合金表面性能的影响 | 第20-21页 |
| ·离子注入预处理对于膜基结合力的影响 | 第21-22页 |
| ·TiC/a-C:H 膜的沉积设备及相关问题 | 第22-32页 |
| ·磁控溅射技术 | 第22页 |
| ·阴极真空弧沉积技术 | 第22-32页 |
| ·阴极真空弧沉积技术原理 | 第23-25页 |
| ·过滤器及其传输效率的影响因素 | 第25-28页 |
| ·弧源种类及参数对于颗粒产生的影响 | 第28-32页 |
| ·本文选题意义及主要研究内容 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-42页 |
| 第二章 TiC/a-C:H 膜的制备、成分及组织结构分析 | 第42-64页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·TiC/a-C:H膜的沉积 | 第42-45页 |
| ·多功能离子注入复合镀膜设备 | 第42-44页 |
| ·制备TiC/a-C:H 膜的准备工作 | 第44页 |
| ·制备TiC/a-C:H 膜的基本工艺参数 | 第44-45页 |
| ·TiC/a-C:H膜的成分分析 | 第45-56页 |
| ·不同的乙炔气流量下膜的成分的变化 | 第46页 |
| ·Ti2p的XPS谱 | 第46-49页 |
| ·C1s 的 XPS 谱 | 第49-52页 |
| ·不同偏压下的XPS 谱 | 第52-53页 |
| ·TiC/a-C:H膜中a-C:H相的结构 | 第53-56页 |
| ·TiC/a-C:H膜的组织结构分析 | 第56-60页 |
| ·偏压对于TiC 晶粒择优取向的影响 | 第57-58页 |
| ·晶粒尺寸的变化 | 第58-60页 |
| ·晶粒尺寸的计算 | 第58-59页 |
| ·晶粒尺寸的变化 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 第三章 TiC/a-C:H 薄膜的力学及摩擦学性能 | 第64-84页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·TiC/a-C:H薄膜的力学性能 | 第65-75页 |
| ·纳米压入的技术原理 | 第65-68页 |
| ·不同工艺条件下TiC/a-C:H膜的硬度及弹性模量 | 第68-70页 |
| ·膜的成分及结构对于硬度增强机理的探讨 | 第70-75页 |
| ·晶粒尺寸的影响 | 第71页 |
| ·成分结构的分析 | 第71-75页 |
| ·TiC/a-C:H膜的摩擦磨损性能分析 | 第75-81页 |
| ·摩擦曲线及磨损形貌分析 | 第75-78页 |
| ·摩擦系数及磨损速率 | 第78-80页 |
| ·膜的成分对于摩擦系数和磨损速率的影响 | 第78-80页 |
| ·偏压对于摩擦系数和磨损速率的影响 | 第80页 |
| ·磨损导致的膜的破坏 | 第80-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第四章 TiC/a-C:H膜与LY12基体的结合力及其改善 | 第84-99页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·钛离子注入对于基体的影响 | 第85-91页 |
| ·注入工艺 | 第85-86页 |
| ·离子注入层的结构 | 第86-87页 |
| ·离子注入对于LY12 基体硬度的影响 | 第87-88页 |
| ·钛离子注入对于膜-基界面的影响 | 第88-91页 |
| ·膜基结合力的测试 | 第91-96页 |
| ·划痕实验的理论背景 | 第91-92页 |
| ·划痕测试的声发射信号及划痕形貌 | 第92-95页 |
| ·离子注入预处理对于膜基结合力影响分析 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第五章 阴极真空电弧源的改进 | 第99-126页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·Langmuir 探针原理及应用 | 第100-104页 |
| ·Langmuir 探针原理 | 第100-102页 |
| ·Langmuir 单探针的I-V 特性曲线 | 第102-103页 |
| ·由单探针的I-V特性曲线获得等离子体的特性参数 | 第103-104页 |
| ·Langmuir 单探针的使用条件 | 第104页 |
| ·外部电场对于磁过滤器传输效率及出口处等离子体的影响 | 第104-111页 |
| ·阴极真空电弧源及探针装置 | 第105-106页 |
| ·外部电场对于过滤器出口处等离子体参数的影响 | 第106-111页 |
| ·I-V特性曲线 | 第106-107页 |
| ·不同情况下过滤器出口处等离子体参数的变化 | 第107-111页 |
| ·直流脉冲电弧源的参数对于颗粒数量及尺寸分布的影响 | 第111-123页 |
| ·沉积试样表面的微观颗粒的观察 | 第112-114页 |
| ·直流脉冲电弧源参数对于颗粒数量及尺寸分布的影响 | 第114-121页 |
| ·占空比及频率对于单位面积颗粒数量的影响 | 第115-116页 |
| ·电流对于单位面积颗粒数量的影响 | 第116-118页 |
| ·脉冲电弧源参数对于颗粒尺寸分布的影响 | 第118-121页 |
| ·直流脉冲电弧源参数对于颗粒产生影响的分析 | 第121-123页 |
| ·能量的影响 | 第121-122页 |
| ·阴极斑点移动速度的影响 | 第122-123页 |
| ·本章小结 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-126页 |
| 第六章 结论及创新 | 第126-128页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130页 |
