| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述和国内外研究进展 | 第11-35页 |
| 第2.1节 分子束外延研究进展 | 第11-21页 |
| ·分子束外延原理 | 第11-16页 |
| ·分子束外延技术发展简介 | 第16-21页 |
| 第2.2节 量子级联激光器研究进展 | 第21-33页 |
| ·InP基AlInAs/GaInAs第一类量子级联激光器研究进展 | 第22-28页 |
| ·GaAs基AlGaAs/GaAs第一类量子级联激光器研究进展 | 第28-32页 |
| ·InAs/GaSb/AlSb第二类量子级联激光器研究进展 | 第32-33页 |
| 第2.3节 小结 | 第33-35页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族MBE衬底表面处理方法和材料特性表征技术 | 第35-49页 |
| 第3.1节 MBE生长前衬底的表面处理 | 第35-37页 |
| 第3.2节 材料结构特性的高分辨X射线衍射表征 | 第37-42页 |
| 第3.3节 材料电学特性的霍尔效应测量 | 第42-45页 |
| 第3.4节 傅里叶变换光致发光谱测量 | 第45-48页 |
| 第3.5节 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 量子级联激光器基础材料的生长和特性研究 | 第49-75页 |
| 第4.1节 薄膜材料MBE生长模式 | 第49-54页 |
| 第4.2节 Ⅲ-Ⅴ族二元系、三元系材料的物理参数 | 第54-58页 |
| 第4.3节 InP/InP同质结材料生长与电学性质研究 | 第58-62页 |
| 第4.4节 InGaAs/InP异质结材料生长与晶体、电学和光学特性研究 | 第62-69页 |
| 第4.5节 InAlAs/InP异质结材料生长与晶体特性、电学特性研究 | 第69-71页 |
| 第4.6节 AlGaAs/GaAs异质结材料生长与晶体、电学和光学特性研究 | 第71-74页 |
| 第4.7节 小结 | 第74-75页 |
| 第五章 双轴应变体系和施主掺杂行为研究 | 第75-91页 |
| 第5.1节 InGaAs/InP和InAlAs/InP双轴应变体系 | 第75-79页 |
| 第5.2节 InGaAs/InP和InAlAs/InP应变外延层的XRD精确测量 | 第79-83页 |
| 第5.3节 AlInAs和AlGaAs材料的施主掺杂行为研究 | 第83-90页 |
| ·Si在Al_xIn_(1-x)As(0≤x≤1)中掺杂行为的研究 | 第84-88页 |
| ·Si在Al_xGa_(1-x)As(O≤x≤1)中掺杂行为的研究 | 第88-90页 |
| 第5.4节 小结 | 第90-91页 |
| 第六章 量子级联激光器材料生长与控制技术及材料特性研究 | 第91-108页 |
| 第6.1节 2英寸InGaAs/InP、InAlAs/InP组分均匀性和表面缺陷密度控制 | 第91-96页 |
| 第6.2节 InGaAs/InAlAs/InP纳米级厚度精确测量样品设计与测量方法 | 第96-101页 |
| 第6.3节 量子级联激光器材料生长及其与器件特性的关系 | 第101-106页 |
| 第6.4节 小结 | 第106-108页 |
| 第七章 总结与展望 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 发表文章及申请专利目录 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 作者简历 | 第122页 |
