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气态源分子束外延材料生长及特性和量子级联激光器材料生长研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 引言第9-11页
第二章 文献综述和国内外研究进展第11-35页
 第2.1节 分子束外延研究进展第11-21页
     ·分子束外延原理第11-16页
     ·分子束外延技术发展简介第16-21页
 第2.2节 量子级联激光器研究进展第21-33页
     ·InP基AlInAs/GaInAs第一类量子级联激光器研究进展第22-28页
     ·GaAs基AlGaAs/GaAs第一类量子级联激光器研究进展第28-32页
     ·InAs/GaSb/AlSb第二类量子级联激光器研究进展第32-33页
 第2.3节 小结第33-35页
第三章 Ⅲ-Ⅴ族MBE衬底表面处理方法和材料特性表征技术第35-49页
 第3.1节 MBE生长前衬底的表面处理第35-37页
 第3.2节 材料结构特性的高分辨X射线衍射表征第37-42页
 第3.3节 材料电学特性的霍尔效应测量第42-45页
 第3.4节 傅里叶变换光致发光谱测量第45-48页
 第3.5节 小结第48-49页
第四章 量子级联激光器基础材料的生长和特性研究第49-75页
 第4.1节 薄膜材料MBE生长模式第49-54页
 第4.2节 Ⅲ-Ⅴ族二元系、三元系材料的物理参数第54-58页
 第4.3节 InP/InP同质结材料生长与电学性质研究第58-62页
 第4.4节 InGaAs/InP异质结材料生长与晶体、电学和光学特性研究第62-69页
 第4.5节 InAlAs/InP异质结材料生长与晶体特性、电学特性研究第69-71页
 第4.6节 AlGaAs/GaAs异质结材料生长与晶体、电学和光学特性研究第71-74页
 第4.7节 小结第74-75页
第五章 双轴应变体系和施主掺杂行为研究第75-91页
 第5.1节 InGaAs/InP和InAlAs/InP双轴应变体系第75-79页
 第5.2节 InGaAs/InP和InAlAs/InP应变外延层的XRD精确测量第79-83页
 第5.3节 AlInAs和AlGaAs材料的施主掺杂行为研究第83-90页
     ·Si在Al_xIn_(1-x)As(0≤x≤1)中掺杂行为的研究第84-88页
     ·Si在Al_xGa_(1-x)As(O≤x≤1)中掺杂行为的研究第88-90页
 第5.4节 小结第90-91页
第六章 量子级联激光器材料生长与控制技术及材料特性研究第91-108页
 第6.1节 2英寸InGaAs/InP、InAlAs/InP组分均匀性和表面缺陷密度控制第91-96页
 第6.2节 InGaAs/InAlAs/InP纳米级厚度精确测量样品设计与测量方法第96-101页
 第6.3节 量子级联激光器材料生长及其与器件特性的关系第101-106页
 第6.4节 小结第106-108页
第七章 总结与展望第108-111页
参考文献第111-119页
发表文章及申请专利目录第119-121页
致谢第121-122页
作者简历第122页

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