| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| §1-1 GaN HEMT 的发展 | 第9-10页 |
| §1-2 研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| §1-3 金属/GaN 肖特基接触研究进展 | 第11-12页 |
| §1-4 本论文研究的主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物材料 | 第14-21页 |
| §2-1 材料特性 | 第14-15页 |
| 2-1-1 晶格结构 | 第14-15页 |
| 2-1-2 GaN、AlN 材料特性 | 第15页 |
| §2-2 电特性 | 第15-17页 |
| 2-2-1 自发极化 | 第15-16页 |
| 2-2-2 压电极化 | 第16-17页 |
| §2-3 材料生长 | 第17-20页 |
| 2-3-1 金属有机物化学汽相沉积（MOCVD） | 第18页 |
| 2-3-2 分子束外延（MBE）技术 | 第18页 |
| 2-3-3 卤化物汽相外延(HVPE) 技术 | 第18-19页 |
| 2-3-4 两步生长工艺: | 第19页 |
| 2-3-5 选区外延生长(Selective Area Epitaxial Growth ) 或侧向外延生长(Lateral Epitaxial Growth ) 技术 | 第19页 |
| 2-3-6 悬空外延技术(Pendeo epitaxy) | 第19-20页 |
| §2-4 Ⅲ族氮化物异质外延的衬底材料 | 第20-21页 |
| 2-4-1 蓝宝石衬底材料 | 第20页 |
| 2-4-2 SiC 衬底材料 | 第20页 |
| 2-4-3 Si 衬底材料 | 第20-21页 |
| 第三章 GaN 基微波器件 | 第21-29页 |
| §3-1 GaN MESFET | 第21-22页 |
| §3-2 GaN MISFET | 第22页 |
| §3-3 GaN HEMTs | 第22-29页 |
| 3-3-1 AlGaN/GaN 异质结二维电子气 | 第23-25页 |
| 3-3-2 AlGaN/GaN HEMT 直流特性 | 第25-29页 |
| 第四章 金属/氮化物肖特基接触 | 第29-33页 |
| §4-1 基本理论 | 第29-31页 |
| §4-2 肖特基特性的评定 | 第31-33页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 的制备 | 第33-37页 |
| 第六章 AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的影响因素及工艺优化 | 第37-47页 |
| §6-1 样品的制备 | 第37页 |
| §6-2 表面处理对肖特基特性的影响 | 第37-40页 |
| 6-2-1 表面处理对金属/GaN 接触的影响 | 第38-39页 |
| 6-2-2 表面处理对金属/AlGaN 接触的影响 | 第39-40页 |
| §6-3 离子注入对肖特基特性的影响 | 第40-43页 |
| §6-4 钝化对肖特基特性的影响 | 第43-47页 |
| 6-4-1 钝化前后器件肖特基特性的比较 | 第44-45页 |
| 6-4-2 SiN 钝化膜折射率的优化实验 | 第45-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间所取得的科研成果 | 第51页 |
