中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
·纳米材料概述 | 第9-10页 |
·巨磁电阻效应 | 第10-11页 |
·巨磁电阻效应的发现 | 第10页 |
·巨磁电阻效应产生的机理 | 第10-11页 |
·巨磁电阻材料及分类 | 第11-14页 |
·巨磁电阻多层膜 | 第12-14页 |
·连续多层膜 | 第12页 |
·间断多层膜 | 第12-13页 |
·自旋阀多层膜 | 第13-14页 |
·纳米金属多层线 | 第14页 |
·金属多层纳米线的应用 | 第14-15页 |
·纳米线的组装概述 | 第15-18页 |
·宏观场力组装 | 第16-17页 |
·电场驱动 | 第16页 |
·磁场驱动 | 第16-17页 |
·模板组装 | 第17页 |
·自组装 | 第17-18页 |
·金属多层纳米线的制备 | 第18-19页 |
·物理法 | 第18页 |
·化学法 | 第18页 |
·模板电化学法 | 第18-19页 |
·单槽直流电沉积 | 第18-19页 |
·双槽直流电沉积 | 第19页 |
·金属多层纳米线的表征及性能测试 | 第19-21页 |
·形貌表征 | 第19页 |
·扫描电子显微镜 | 第19页 |
·透射电子显微镜 | 第19页 |
·成分分析 | 第19-20页 |
·磁性能测试 | 第20-21页 |
·磁滞回线 | 第20-21页 |
·磁电阻 | 第21页 |
·金属多层纳米线研究现状及发展趋势 | 第21-23页 |
·研究现状 | 第21-22页 |
·发展趋势 | 第22-23页 |
·纳米技术的局限性 | 第23-24页 |
·本论文的主要工作 | 第24-25页 |
第二章 实验方法 | 第25-31页 |
·模板的制备 | 第25-27页 |
·仪器和试剂 | 第25页 |
·AAO模板及电极的制备 | 第25-27页 |
·阳极氧化工艺流程 | 第25-26页 |
·阳极氧化工艺参数 | 第26-27页 |
·AAO模板形貌表征 | 第27页 |
·电极的封装 | 第27页 |
·Cu/Ni多层纳米线的制备及表征 | 第27-29页 |
·试剂和仪器 | 第27-28页 |
·Cu/Ni多层纳米线的制备 | 第28-29页 |
·Cu/Ni多层纳米线的形貌表征 | 第29页 |
·Cu/Ni多层纳米线的成分分析 | 第29页 |
·Cu/Ni多层纳米线的性能研究 | 第29-31页 |
·磁滞回线测试 | 第29页 |
·巨磁电阻性能测试 | 第29-31页 |
第三章 Cu/Ni多层纳米线的制备、表征及其磁性能 | 第31-47页 |
·引言 | 第31-32页 |
·单槽法电沉积Cu/Ni多层纳米线工艺研究 | 第32-35页 |
·电极预处理 | 第32-33页 |
·镀液的选取 | 第33页 |
·沉积电位的选择 | 第33-34页 |
·电流时间曲线研究 | 第34页 |
·电沉积的影响因素 | 第34-35页 |
·形貌表征 | 第35-36页 |
·SEM图片及分析 | 第35-36页 |
·TEM图片及分析 | 第36页 |
·成分分析 | 第36-38页 |
·Cu/Ni多层纳米线阵列的子层厚度可控分析 | 第38-40页 |
·磁性能分析 | 第40-47页 |
·Cu/Ni多层纳米线的磁记录性质 | 第40-42页 |
·磁性能的影响因素 | 第42-46页 |
·Ni层厚度的影响 | 第42-43页 |
·直径的影响 | 第43-45页 |
·制备工艺的影响 | 第45-46页 |
·纳米线的磁化机理分析 | 第46-47页 |
第四章 Cu/Ni多层纳米线的GMR性能研究 | 第47-57页 |
·引言 | 第47-48页 |
·Cu/Ni多层纳米线阵列的磁电阻曲线 | 第48-49页 |
·Ni层厚度对Cu/Ni多层纳米线阵列GMR值的影响 | 第49-51页 |
·Cu层厚度对Cu/Ni多层纳米线阵列GMR值的影响 | 第51-52页 |
·纳米线直径对Cu/Ni多层纳米线阵列GMR值的影响 | 第52-56页 |
·80VAAO模板的制备 | 第52-55页 |
·不同直径Cu/Ni多层纳米线阵列的GMR比较 | 第55-56页 |
·实验尚待改进的问题 | 第56-57页 |
第五章 结论 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-63页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
致谢 | 第64页 |