| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-26页 |
| ·非完美晶体用作中子单色器 | 第8-14页 |
| ·非完美晶体的基本衍射理论 | 第14-15页 |
| ·晶体嵌镶延展技术 | 第15-18页 |
| ·蒙特卡罗方法在中子散射谱仪技术中的应用 | 第18-20页 |
| ·论文的选题依据和意义 | 第20-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 2 建立中子单色器晶体的中子衍射物理模型 | 第26-44页 |
| ·非完美晶体的理论分析模型 | 第26-33页 |
| ·非完美晶体中子衍射过程的物理模型 | 第33-40页 |
| ·非完美晶体衍射物理模型的特性 | 第40-41页 |
| ·结论 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 3 常用单色器晶体性能的模拟计算和评估 | 第44-63页 |
| ·模拟计算的背景和目的 | 第44-45页 |
| ·常用中子单色器晶体的基本材料性能 | 第45-49页 |
| ·在MCSTAS中使用新的单色器组件分析中子单色器晶体的性能 | 第49-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 4 锗单晶热压形变设备和工艺 | 第63-77页 |
| ·锗垂直聚焦中子单色器 | 第63-66页 |
| ·锗单晶真空热压炉 | 第66-70页 |
| ·锗单晶薄片热压工艺 | 第70-74页 |
| ·结论 | 第74-77页 |
| 5 锗嵌镶晶体摇动曲线实验 | 第77-106页 |
| ·实验方法和测量设备 | 第77-84页 |
| ·摇动曲线测量和数据分析 | 第84-101页 |
| ·分析和总结 | 第101-105页 |
| 参考文献 | 第105-106页 |
| 6 结论 | 第106-108页 |
| 攻读博士学位期间文章和报告目录 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |