第1章 引言 | 第1-24页 |
1.1 纳米科技与纳米材料 | 第10-11页 |
1.2 纳米材料的基本性质 | 第11-13页 |
1.3 固体发光理论基础与纳米材料的新发光特性 | 第13-17页 |
1.3.1 固体发光理论基础 | 第13-16页 |
1.3.2 纳米材料的新的发光特性及发光机理 | 第16-17页 |
1.4 纳米材料的制备方法 | 第17-21页 |
1.4.1 气相法 | 第17-19页 |
1.4.2 固相法 | 第19页 |
1.4.3 液相法 | 第19-21页 |
1.5 纳米发光材料的研究热点及展望 | 第21-23页 |
1.6 本论文主要研究的内容 | 第23-24页 |
第2章 纳米材料的实验制备 | 第24-38页 |
2.1 直接沉淀法制备纳米二氧化钛 | 第24-29页 |
2.1.1 直接沉淀法的基本原理 | 第24-28页 |
2.1.2 实验部分 | 第28-29页 |
2.2 乳状液膜法制备Gd_2O_2S:Tb X-射线发光粉 | 第29-33页 |
2.2.1 乳状液膜法的实验原理 | 第29-31页 |
2.2.2 实验部分 | 第31-33页 |
2.3 复合沉淀法制备Gd_2O_2S:Tb X-射线发光粉 | 第33-35页 |
2.3.1 复合沉淀法的实验原理 | 第33-34页 |
2.3.2 实验部分 | 第34-35页 |
2.4 复合沉淀法制备Y_2O_3:Yb,Er和Y_2O_2S:Yb,Er上转换发光粉 | 第35-38页 |
2.4.1 实验部分 | 第35-38页 |
第3章 二氧化钛纳米晶的表征及发光性质研究 | 第38-45页 |
3.1 光致发光理论的探讨 | 第38-40页 |
3.1.1 基本原理 | 第38-39页 |
3.1.2 半导体材料光致发光的基本原理 | 第39-40页 |
3.2 结果与讨论 | 第40-44页 |
3.2.1 X-射线衍射分析(XRD) | 第40-41页 |
3.2.2 透射电子显微镜分析(TEM) | 第41-42页 |
3.2.3 光致发光光谱分析(PL) | 第42-44页 |
3.3 本章小结 | 第44-45页 |
第4章 Gd_2O_2S:Tb X-射线发光粉的表征及发光性质研究 | 第45-61页 |
4.1 X-射线激发发光的理论探讨 | 第45-47页 |
4.1.1 X-射线的产生及性质 | 第45-46页 |
4.1.2 X-射线激发发光机理 | 第46-47页 |
4.2 乳状液膜法制备Gd_2O_2S:Tb X-射线发光粉的表征及发光性质研究 | 第47-54页 |
4.2.1 X-射线衍射分析(XRD) | 第47页 |
4.2.2 扫瞄电子显微镜分析(SEM) | 第47-50页 |
4.2.3 光致发光光谱分析(PL) | 第50-51页 |
4.2.4 X-射线激发发光光谱的分析(XL) | 第51-52页 |
4.2.5 红外光谱的分析与讨论(FT-IR) | 第52-53页 |
4.2.6 小结 | 第53-54页 |
4.3 复合沉淀法制备Gd_2O_2S:Tb X-射线发光粉的表征及发光性质研究 | 第54-61页 |
4.3.1 红外光谱的分析与讨论(FT-IR) | 第54-55页 |
4.3.2 X-射线衍射分析(XRD) | 第55-56页 |
4.3.3 扫瞄与透射电子显微镜分析(SEM,TEM) | 第56-57页 |
4.3.4 光致发光光谱分析(PL) | 第57-59页 |
4.3.5 X-射线激发发光光谱分析(XL) | 第59-60页 |
4.3.6 小结 | 第60-61页 |
第5章 Y_2O_3:Yb,Er、Y_2O_2S:Yb,Er上转换发光粉的表征及发光性质研究 | 第61-73页 |
5.1 上转换发光的理论探讨 | 第61-65页 |
5.1.1 上转换发光的基本原理 | 第61-63页 |
5.1.2 稀土离子的能量传递机理 | 第63-65页 |
5.2 结果与讨论 | 第65-72页 |
5.2.1 X-射线衍射分析(XRD) | 第65-66页 |
5.2.2 透射电子显微镜分析(TEM) | 第66-67页 |
5.2.3 上转换发光光谱分析(PL) | 第67-72页 |
5.3 本章小结 | 第72-73页 |
结论 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第79-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
研究生履历 | 第82页 |