| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·碳化硅材料的特点和研究意义 | 第7-9页 |
| ·碳化硅MOSFET 的进展及击穿特性存在的问题 | 第9-12页 |
| ·SiC 埋沟MOSFET 的研究意义及发展现状 | 第12-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 4H-SiC 埋沟MOSFET 基本模型和器件特性 | 第14-27页 |
| ·埋沟MOSFET 的工作机理 | 第14-16页 |
| ·埋沟MOSFET 的基本模型 | 第16-21页 |
| ·漂移－扩散模型 | 第17-18页 |
| ·迁移率模型 | 第18-19页 |
| ·不完全离化模型 | 第19-20页 |
| ·计算方法的选择 | 第20-21页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 的直流特性 | 第21-26页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 的直流特性 | 第23-24页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 的高温特性 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 4H-SiC 埋沟MOSFET 击穿特性模拟研究 | 第27-44页 |
| ·半导体击穿机制与模型介绍 | 第27-30页 |
| ·半导体击穿机制简介 | 第27-28页 |
| ·雪崩碰撞击穿模型 | 第28-29页 |
| ·模拟击穿时结构的调整 | 第29-30页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 击穿特性模拟 | 第30-35页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 击穿机理 | 第30-32页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 与传统MOSFET 击穿比较 | 第32-33页 |
| ·4H-SiC 埋沟MOSFET 在不同栅压下击穿特性的比较 | 第33-35页 |
| ·结构参数对4H-SiC 埋沟MOSFET 击穿特性的影响 | 第35-41页 |
| ·埋沟掺杂浓度对器件击穿特性的影响 | 第35-36页 |
| ·埋沟沟道深度对器件击穿特性的影响 | 第36-37页 |
| ·衬底掺杂浓度对器件击穿特性的影响 | 第37-38页 |
| ·栅氧化层厚度对器件击穿特性的影响 | 第38-40页 |
| ·场板对 4H-SiC 埋沟 MOSFET 击穿特性的影响 | 第40-41页 |
| ·温度对4H-SiC 埋沟MOSFET 击穿特性的影响 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 4H-SiC 埋沟MOSFET 实验研究 | 第44-52页 |
| ·实验材料参数及版图 | 第44-45页 |
| ·4H-SiC 埋沟 MOSFET 实验设计和注意的问题 | 第45-47页 |
| ·源漏离子注入和埋沟注入的实验设计 | 第45-46页 |
| ·栅氧化工艺设计 | 第46-47页 |
| ·欧姆接触工艺设计 | 第47页 |
| ·4H-SiC 埋沟 MOSFET 测试结果及分析 | 第47-51页 |
| ·阈值电压的测试 | 第47-48页 |
| ·输出特性的测试 | 第48-50页 |
| ·转移特性和跨导的测试 | 第50-51页 |
| ·工艺改进 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 总结 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第59页 |
