| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·形状记忆合金的发展及应用研究 | 第10-11页 |
| ·MEMS 概述 | 第11-13页 |
| ·MEMS 含义 | 第11页 |
| ·发展MEMS 的意义 | 第11-12页 |
| ·国内外MEMS 研究现状 | 第12-13页 |
| ·形状记忆合金薄膜的国内外研究现状 | 第13-14页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第14-16页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第14页 |
| ·溅射镀膜法 | 第14-15页 |
| ·离子镀膜法 | 第15页 |
| ·分子束外延法 | 第15页 |
| ·化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第16-17页 |
| ·Cu 的合金化作用 | 第17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-20页 |
| ·选题意义 | 第17-18页 |
| ·研究目标 | 第18页 |
| ·研究内容 | 第18页 |
| ·技术路线与实验方案 | 第18-20页 |
| 2 实验内容与实验方法 | 第20-28页 |
| ·薄膜制备 | 第20-23页 |
| ·基片的选择与预处理 | 第20页 |
| ·靶材成分设计及准备 | 第20-23页 |
| a. TiNiCu 薄膜中Cu 含量对记忆性能的影响 | 第20-21页 |
| b. 靶材的准备 | 第21-23页 |
| ·薄膜制备工艺流程 | 第23页 |
| ·薄膜的晶化温区、相变温度及相变滞后DSC 分析 | 第23-25页 |
| ·薄膜的晶化退火工艺 | 第25-26页 |
| ·薄膜的晶体结构分析 | 第26页 |
| ·膜厚测试 | 第26页 |
| ·薄膜样品的TEM 微观形貌分析 | 第26-27页 |
| ·薄膜样品的形状记忆性能测量 | 第27-28页 |
| 3 磁控溅射TiNiCu 薄膜的靶材的制备及成膜性试验 | 第28-30页 |
| ·实验结果 | 第28页 |
| ·结果分析与讨论 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 4 直流磁控溅射TiNiCu 薄膜的制备 | 第30-38页 |
| ·直流磁控溅射镀膜原理 | 第30-31页 |
| ·气体的辉光放电 | 第30页 |
| ·直流溅射镀膜的基本过程 | 第30-31页 |
| ·FJL520 型高真空磁控与离子束复合溅射设备的主要功能与技术特性 | 第31-32页 |
| ·薄膜沉积稳定性 | 第32-34页 |
| ·薄膜成分稳定性的研究 | 第32-33页 |
| ·薄膜沉积速率稳定性的研究 | 第33-34页 |
| ·薄膜溅射工艺参数优化 | 第34-36页 |
| ·工作气压 | 第34-35页 |
| ·溅射功率 | 第35-36页 |
| ·靶材与基片距离 | 第36页 |
| ·背底真空度 | 第36页 |
| ·Ar 气流量 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 5 实验结果及分析 | 第38-58页 |
| ·溅射态的薄膜组织结构 | 第38页 |
| ·薄膜晶化温区的确定 | 第38-42页 |
| ·晶化温区的DSC 测试 | 第38-39页 |
| ·薄膜连续加热的XRD 测试 | 第39-42页 |
| ·薄膜相组成及相结构分析 | 第42-45页 |
| ·薄膜的成分及TEM 组织结果分析 | 第45-51页 |
| ·TiNi 薄膜的成分及TEM 组织分析 | 第46页 |
| ·TiNiCu5 薄膜的成分及TEM 组织分析 | 第46-48页 |
| ·TiNiCu9 薄膜的成分及TEM 组织分析 | 第48-51页 |
| ·薄膜的相变温度及相变滞后测试分析 | 第51-55页 |
| ·TiNi 薄膜的DSC 测试结果分析 | 第52-53页 |
| ·TiNiCu5 薄膜的DSC 测试分析 | 第53-54页 |
| ·TiNiCu9 薄膜的DSC 测试分析 | 第54页 |
| ·DSC 测试结果综合分析 | 第54-55页 |
| ·薄膜的形状记忆性能结果分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 6. 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 研究生期间发表论文 | 第63页 |
