| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| §1-1 光伏产业发展现状 | 第8-10页 |
| §1-2 非晶硅太阳电池研究现状 | 第10-13页 |
| §1-3 本论文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 非晶硅太阳电池原理及实验方法 | 第15-23页 |
| §2-1 非晶硅太阳电池原理及性能参数 | 第15-19页 |
| 2-1-1 非晶硅材料 | 第15-16页 |
| 2-1-2 非晶硅太阳电池原理 | 第16-19页 |
| §2-2 实验方法 | 第19-23页 |
| 2-2-1 实验材料 | 第19页 |
| 2-2-2 非晶硅材料与电池的制备 | 第19-22页 |
| 2-2-3 非晶硅材料与电池的测试 | 第22-23页 |
| 第三章 p型、n型非晶硅材料的制备与性能 | 第23-29页 |
| §3-1 p型非晶硅材料性能研究 | 第23-25页 |
| 3-1-1 沉积温度与p型a-SiC：H材料性能的关系 | 第23-24页 |
| 3-1-2 B(CH_3)_3流量与p型a-SiC：H材料性能的关系 | 第24页 |
| 3-1-3 以B(CH_3)_3为掺杂剂的p型a-Si：H材料在电池中的应用 | 第24-25页 |
| §3-2 PH_3流量和SiH_4浓度对n型a-Si：H性能的影响 | 第25-28页 |
| 3-2-1 PH_3流量对n型非晶硅材料电导率的影响 | 第26页 |
| 3-2-2 SiH_4浓度对n型非晶硅材料生长速率和暗电导率的影响 | 第26-27页 |
| 3-2-3 制备时SiH_4浓度不同的n型材料在太阳电池中的应用效果 | 第27-28页 |
| §3-3 小结 | 第28-29页 |
| 第四章 非晶硅太阳电池界面层研究 | 第29-41页 |
| §4-1 TCO／p界面处理工艺 | 第29-31页 |
| 4-1-1 重掺杂TCO／p界面 | 第29-30页 |
| 4-1-2 氢处理TCO／p界面 | 第30-31页 |
| §4-2 不同结构p／j界面缓冲层的制备与研究 | 第31-38页 |
| 4-2-1 p／j界面缓冲层 | 第31-32页 |
| 4-2-2 硼碳渐进缓冲层 | 第32-33页 |
| 4-2-3 不含硼的碳渐进缓冲层 | 第33-35页 |
| 4-2-4 硼恒定的碳渐进缓冲层 | 第35页 |
| 4-2-5 复合型缓冲层 | 第35-37页 |
| 4-2-6 台阶式硼碳缓冲层 | 第37-38页 |
| §4-3 不含硼的碳渐进缓冲层沉积时间对电池性能的影响 | 第38-40页 |
| 4-3-1 应用不含硼的碳渐进缓冲层的电池样品制备 | 第38页 |
| 4-3-2 缓冲层沉积时间对电池初始性能的影响 | 第38-40页 |
| §4-4 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 非晶硅太阳电池稳定性研究 | 第41-50页 |
| §5-1 p／i界面缓冲层对太阳电池稳定性的影响 | 第41-43页 |
| 5-1-1 不含硼的碳渐进缓冲层沉积时间与电池稳定性的关系 | 第41-43页 |
| 5-1-2 复合型缓冲层和台阶式缓冲层对电池稳定性的影响 | 第43页 |
| §5-2 i层氢稀释度对电池稳定性的影响 | 第43-46页 |
| 5-2-1 电池制备工艺 | 第43-44页 |
| 5-2-2 i层氢稀释度与电池稳定性的关系 | 第44-46页 |
| §5-3 i层辉光功率对电池稳定性的影响 | 第46-47页 |
| §5-4 i层沉积温度对电池稳定性的影响 | 第47-49页 |
| §5-5 小结 | 第49-50页 |
| 第六章 叠层和集成非晶硅太阳电池的制备 | 第50-57页 |
| §6-1 叠层非晶硅太阳电池的制备与研究 | 第50-53页 |
| 6-1-1 改善叠层电池电流密度的工艺研究 | 第50-52页 |
| 6-1-2 复合n型材料对叠层电池性能的影响 | 第52-53页 |
| §6-2 制备工艺对集成非晶硅电池性能的影响 | 第53-56页 |
| 6-2-1 集成电池的制备工艺及性能 | 第53-54页 |
| 6-2-2 影响集成电池性能的因素分析 | 第54-56页 |
| §6-3 小结 | 第56-57页 |
| 第七章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62页 |
