| 第一章 绪论 | 第1-26页 |
| 1．1 铁电材料的特性 | 第8-10页 |
| 1．1．1 铁电材料自发极化特性 | 第8-9页 |
| 1．1．2 铁电材料的居里温度 | 第9-10页 |
| 1．2 铁电材料的应用 | 第10-12页 |
| 1．2．1 电光效应 | 第10页 |
| 1．2．2 光折变效应 | 第10-12页 |
| 1．3 铁电薄膜的发展及应用 | 第12-15页 |
| 1．3．1 铁电薄膜的应用 | 第12-15页 |
| 1．3．2 铁电薄膜－硅基底微集成系统 | 第15页 |
| 1．4 重要的铁电薄膜材料——铌酸锶钡(SBN) | 第15-21页 |
| 1．4．1 SBN单晶 | 第16-19页 |
| 1．4．2 SBN薄膜的研究现状 | 第19-21页 |
| 1．5 本文研究内容及创新点 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 SBN60铁电薄膜的制备 | 第26-37页 |
| 2．1 铁电薄膜的制备方法 | 第26-28页 |
| 2．2 SBN60薄膜的Sik-Gel法制备 | 第28-31页 |
| 2．2 SBN60薄膜的Pulsed Laser Deposition(PLD)法制备 | 第31-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 SBN60薄膜结构性能测试分析 | 第37-66页 |
| 3．1 检测方法 | 第37页 |
| 3．2 Sol-Gel法制备的SBN60薄膜在Si(100)衬底上的生长 | 第37-52页 |
| 3．2．1 前驱溶液对SBN薄膜择优取向的影响 | 第37-43页 |
| 3．2．2 烧结温度对SBN薄膜结晶的影响 | 第43-52页 |
| 3．3 Sol-Gel法制备的SBN60薄膜在MgO(001)衬底上的生长 | 第52-56页 |
| 3．4 PLD法制备的SBN60薄膜在Si(100)衬底上的生长 | 第56-62页 |
| 3．4．1 K离子的掺入对SBN薄膜取向性的影响 | 第56-60页 |
| 3．4．1 衬底温度对SBN薄膜取向胜的影响 | 第60-61页 |
| 3．4．2 氧分压对SBN薄膜取向性的影响 | 第61-62页 |
| 3．5 制备SBN60薄膜的Sol-gel法与PLD法比较 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 SBN60薄膜性能测试 | 第66-85页 |
| 4．1 电学特性 | 第66-70页 |
| 4．1．1 电容-频率(Capacity-frequency) | 第66-67页 |
| 4．1．2 电容-偏压(C aPacity-Bias voltage) | 第67-69页 |
| 4．1．3 极化-电场(Polarization-Electric field) | 第69-70页 |
| 4．2 光学特性 | 第70-75页 |
| 4．2．1 光度法测量薄膜的折射率 | 第70-72页 |
| 4．2．2 棱镜耦合法测量薄膜的折射率 | 第72-75页 |
| 4．3 电光系数的测量 | 第75-83页 |
| 4．3．1 横向电光系数r_(51)的测量 | 第75-78页 |
| 4．3．2 纵向电光系数r_(33)的测量方法 | 第78-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第五章 铁电SBN60薄膜的应用 | 第85-92页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 总结与展望 | 第92-98页 |
| 6．1 工作总结 | 第92-93页 |
| 6．2 需要改进的问题 | 第93-94页 |
| 6．2．1 溶胶-凝胶工艺的改进 | 第93-94页 |
| 6．2．2 Sol-Gel法制备样品的物理性能方面的完善 | 第94页 |
| 6．2．3 PLD法制备样品的性能方面的测试 | 第94页 |
| 6．3 SBN铁电薄膜的应用前景 | 第94-95页 |
| 6．4 发展铁电薄膜的主要障碍与解决对策 | 第95-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
