| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·非晶硅的研究历史和现状 | 第9-10页 |
| ·非晶硅薄膜的光致变化及其相关理论模型 | 第10-13页 |
| ·Staebler-Wronski Effect(SW 效应) | 第10-11页 |
| ·相关理论模型 | 第11-13页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的发展应用概况 | 第13-14页 |
| ·本论文的目的和研究方法 | 第14-15页 |
| 第2章 MWECR CVD 沉积系统 | 第15-25页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·a-Si:H 的生长机制 | 第15-16页 |
| ·MWECR CVD 沉积系统及样品制备过程简介 | 第16-22页 |
| ·ECR 等离子体沉积系统介绍 | 第16-21页 |
| ·样品制备过程简介 | 第21-22页 |
| ·调整工艺参数沉积优质的氢化非晶硅薄膜 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 a-Si:H 薄膜光敏性及光致变化 | 第25-47页 |
| ·非晶半导体的导电机理 | 第25-30页 |
| ·a-Si:H 薄膜光敏性的测量 | 第30-32页 |
| ·a-Si:H 薄膜光电导和暗电导 | 第30-31页 |
| ·光、暗电导率测量装置 | 第31-32页 |
| ·a-Si:H 薄膜稳定性的测量 | 第32-35页 |
| ·相关理论概述 | 第33-34页 |
| ·稳定性测量装置 | 第34-35页 |
| ·非晶硅薄膜的制备工艺对其光电特性的影响 | 第35-37页 |
| ·MWECR CVD 制备工艺对氢化非晶硅薄膜光电特性的影响分析 | 第37-45页 |
| ·稀释比对a-Si:H 薄膜光敏性的影响 | 第37-39页 |
| ·衬底温度对a-Si:H 薄膜光敏性的影响 | 第39-40页 |
| ·沉积温度对a-Si:H 薄膜稳定性的影响 | 第40-41页 |
| ·热丝温度对a-Si:H 薄膜稳定性的影响 | 第41页 |
| ·有、无热丝辅助沉积对a-Si:H 薄膜光电特性的影响 | 第41-44页 |
| ·a-Si:H 薄膜光敏性与其氢含量的关系 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 a-Si:H 薄膜微结构浅析 | 第47-63页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第47-53页 |
| ·相关理论概述 | 第47-49页 |
| ·实验结果与分析 | 第49-53页 |
| ·拉曼谱 | 第53-60页 |
| ·拉曼散射的基础理论简介 | 第53-55页 |
| ·实验结果与分析 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
