| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·传统的密码体制 | 第9-10页 |
| ·量子保密通信 | 第10-11页 |
| ·光电探测的基本知识 | 第11-13页 |
| ·单光子探测器简介 | 第13-19页 |
| ·单光子探测器的原理 | 第13-14页 |
| ·光电倍增管单光子探测器 | 第14-16页 |
| ·雪崩光电二极管(APD)单光子探测器 | 第16-17页 |
| ·VAPD单光子探测器 | 第17-18页 |
| ·单光子探测器的现状及其发展 | 第18-19页 |
| 第二章 APD单光子探测器 | 第19-33页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·APD的结构 | 第19-20页 |
| ·APD的工作原理 | 第20-23页 |
| ·单光子探测器(SPAD) | 第23-26页 |
| ·单光子探测器 | 第23-24页 |
| ·InGaAs-APD单光子探测器-SPAD | 第24-26页 |
| ·SPAD的噪声 | 第26页 |
| ·APD单光子探测器的工作方式 | 第26-29页 |
| ·无源抑制方式 | 第27-28页 |
| ·有源抑制方式 | 第28-29页 |
| ·门模工作方式 | 第29-32页 |
| ·被动门电路(Passive Gated Circuits) | 第30-31页 |
| ·主动抑制门方式(active quenching and gating circuit) | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三章 APD特性研究 | 第33-53页 |
| ·描述APD的几个重要的特性参数 | 第33-37页 |
| ·量子效率η和响应度R_0 | 第33-34页 |
| ·暗电流 | 第34-35页 |
| ·雪崩倍增因子G | 第35-36页 |
| ·雪崩光电二极管的过剩噪声 | 第36-37页 |
| ·APD降低温度方面的工作 | 第37-45页 |
| ·对APD制冷的原因 | 第37-38页 |
| ·半导体制冷的原理 | 第38-42页 |
| ·我们的制冷系统 | 第42-45页 |
| ·APD特性研究 | 第45-52页 |
| ·APD光电流、暗电流特性研究 | 第45-50页 |
| ·APD的最低可探测功率与温度的关系 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 可门控单光子探测器的初步设计 | 第53-61页 |
| ·单光子探测器的电源设计 | 第53-55页 |
| ·APD取信号电路的设计 | 第55-60页 |
| ·前置放大器的设计 | 第55-59页 |
| ·单光子信号的鉴别 | 第59页 |
| ·APD温度控制 | 第59-60页 |
| ·我们的单光子探测器 | 第60-61页 |
| 第五章 单光子源 | 第61-65页 |
| ·经简单衰减得到的单光子源 | 第61-63页 |
| ·一种新的高效率的单光子源 | 第63-65页 |
| 第六章 红外单光子的初步探测 | 第65-70页 |
| ·盖革模式和普通模式光探测的比较 | 第65-66页 |
| ·1310nm单光子的初步探测 | 第66-69页 |
| ·暗计数率的研究 | 第66-67页 |
| ·1310nm单光子探测初步 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 发表的学术论文 | 第72-73页 |
| 独创性声明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 主要参考文献 | 第75-79页 |
| 附录 | 第79-80页 |