| 摘要（中、英文 | 第1-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1．1 高速离子诱发二次电子发射的研究进展 | 第9-12页 |
| 1．1．1 PEE | 第9页 |
| 1．1．2 固体表面的动力学电子发射（KEE | 第9-12页 |
| 1．2 KEE电子发射的一般理论 | 第12-15页 |
| 1．2．1 二次电子激发产生及其输运的一般过程 | 第12-14页 |
| 1．2．2 二次电子发射的主要理论结果 | 第14-15页 |
| 1．3 二次电子发射的未来研究展望 | 第15-16页 |
| 1．4 本文的研究目的和内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 电子的激发产生及其级联过程 | 第18-32页 |
| 2．1 电子的激发产生 | 第18-22页 |
| 2．1．1 离子与外层电子的非弹性碰撞 | 第18-20页 |
| 2．1．2 离子与内壳层电子的非弹性碰撞 | 第20-22页 |
| 2．2 被激发出的电子在固体中的级联传输 | 第22-32页 |
| 2．2．1 电子与自由电子气的碰撞 | 第22-28页 |
| 2．2．2 电子与离子芯的碰撞 | 第28-32页 |
| 第三章 带电粒子在固体中传输的Monte-Carlo模拟 | 第32-36页 |
| 3．1 载能离子在固体中的传输 | 第32-35页 |
| 3．2 电子在固体中的传输 | 第35-36页 |
| 第四章 高速He+离子诱发的背向二次电子发射的模拟研究 | 第36-50页 |
| 4．1 He+的束缚电子在背向电子发射中的作用 | 第36-46页 |
| 4．1．1 研究目的 | 第36页 |
| 4．1．2 He+离子诱发的背向电子发射产额 | 第36-38页 |
| 4．1．3 计算模型 | 第38页 |
| 4．1．4 Al、Cu和C的背向电子发射产额 | 第38-46页 |
| 4．2 近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算 | 第46-48页 |
| 4．2．1 研究目的 | 第46页 |
| 4．2．2 结果与讨论 | 第46-48页 |
| 4．3 小结 | 第48-50页 |
| 第五章 高速H2+离子诱发电子发射的理论研究 | 第50-67页 |
| 5．1 H2+轰击诱发二次电子发射的Monte-Carlo模拟 | 第50-58页 |
| 5．1．1 研究目的 | 第50页 |
| 5．1．2 Monte-Carlo模拟模型 | 第50-52页 |
| 5．1．3 背向和前向电子产额及分子效应 | 第52-58页 |
| 5．2 H2+诱发电子的发射行为与入射角的关系 | 第58-66页 |
| 5．2．1 研究目的 | 第58页 |
| 5．2．2 斜入射时的背向电子发射产额半经验理论计算 | 第58-60页 |
| 5．2．3 背向电子产额Yb（（）与入射角（的关系 | 第60-64页 |
| 5．2．4 背向电子发射的统计性 | 第64-66页 |
| 5．3 小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 发表论文目录 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
