| 第一章： 引言 | 第1-10页 |
| 第二章： 文献综述、论文工作背景及动机 | 第10-24页 |
| 2．1 半导体激光器的发展 | 第10-19页 |
| 2．1．1 多量子阱与应变多量子阱激光器 | 第13-15页 |
| 2．1．2 量子级联激光器 | 第15-17页 |
| 2．1．3 垂直腔面发射激光器 | 第17-19页 |
| 2．2 半导体激光器的测量表征技术 | 第19-21页 |
| 2．3 半导体激光器的热特性表征 | 第21-23页 |
| 2．4 小结与展望 | 第23-24页 |
| 第三章： 半导体激光器脉冲测量表征系统设计及软硬件实现 | 第24-42页 |
| 3．1 半导体激光器脉冲测量表征系统设计思路 | 第24-26页 |
| 3．2 半导体激光器脉冲测量表征系统的硬件组成 | 第26-33页 |
| 3．2．1 傅里叶变换红外光谱仪 | 第27-28页 |
| 3．2．2 脉冲信号发生器 | 第28页 |
| 3．2．3 HP Infinium数字示波器特点简介（型号：54820A） | 第28-30页 |
| 3．2．4 电流测量探头 | 第30-31页 |
| 3．2．5 GPIB总线 | 第31-33页 |
| 3．3 面向GPIB的测量软件设计开发——测量软件LaserMSV1．0 | 第33-39页 |
| 3．3．1 LaserMSV1．0程序启动面板 | 第35页 |
| 3．3．2 LaserMSV1．0硬件设置界面 | 第35-38页 |
| 3．3．3 LaserMSV1．0测量过程控制与数据显示界面 | 第38页 |
| 3．3．4 LaserMSV1．0主测试程序流程图 | 第38-39页 |
| 3．4 小结 | 第39-42页 |
| 第四章： 半导体激光器脉冲测量实例及讨论 | 第42-50页 |
| 4．1 半导体激光器I-P特性测量实例 | 第42-46页 |
| 4．2 半导体激光器I-V特性测量实例 | 第46页 |
| 4．3 半导体激光器光谱特性测量实例 | 第46-48页 |
| 4．4 小结 | 第48-50页 |
| 第五章： 基于脉冲测量的半导体激光器热特性分析 | 第50-71页 |
| 5．1 InAsP/InGaAsP脊波导多量子阱半导体激光器热特性表征 | 第51-62页 |
| 5．1．1 器件结构介绍 | 第51页 |
| 5．1．2 基于脉冲I-V方法的此类激光器热特性表征 | 第51-57页 |
| 5．1．3 基于光谱学万法的此类激光器热特性表征 | 第57-62页 |
| 5．2 InAlAs/InGaAs/InP中红外量子级联激光器热特性表征 | 第62-66页 |
| 5．2．1 器件结构介绍 | 第62页 |
| 5．2．2 基于光谱学方法的此类激光器热特性表征 | 第62-66页 |
| 5．3 InGaAsSb／AlGaAsSb脊波导多量子阱半导体激光器热特性表征 | 第66-69页 |
| 5．3．1 器件结构介绍 | 第66页 |
| 5．3．2 基于脉冲I-P方法的此类激光器热特性表征 | 第66-69页 |
| 5．4 小结 | 第69-71页 |
| 第六章： 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 附录 | 第75-81页 |
| 附录1： 甚大电流（12A）宽脉冲范围（＞20ns）半导体激光器测量表征系统简介 | 第75-78页 |
| 附录2： 常见测试问题解答 | 第78-80页 |
| 1． 电流探头的选择 | 第78页 |
| 2． 光功率计的饱和 | 第78页 |
| 3． 测量中设置问题 | 第78-80页 |
| 附录3： 硕士论文工作期间发表文章及申请专利目录 | 第80-81页 |
| 发表文章： | 第80页 |
| 申请专利： | 第80-81页 |
| 附录4： 个人简历 | 第81页 |
