摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-31页 |
·引言 | 第11页 |
·BT/BST陶瓷简介 | 第11-16页 |
·钛酸钡陶瓷 | 第11-13页 |
·钛酸锶钡陶瓷 | 第13-16页 |
·BT/BST陶瓷的掺杂改性研究 | 第16-21页 |
·钛酸钡 | 第16-21页 |
·钛酸锶钡 | 第21页 |
·BT/BST陶瓷的主要应用领域 | 第21-28页 |
·多层陶瓷电容器 | 第22-23页 |
·铁电微波移相器 | 第23-26页 |
·记忆材料 | 第26页 |
·热释电红外探测器 | 第26-28页 |
·BT/BST介电陶瓷研究的发展趋势 | 第28-29页 |
·本课题研究意义、目的与内容 | 第29-31页 |
第二章 实验 | 第31-37页 |
·实验所用原料及主要设备 | 第31-32页 |
·样品制备 | 第32-34页 |
·合成主晶相 | 第33页 |
·成型剂的选择 | 第33页 |
·电极的选择 | 第33-34页 |
·主要工艺流程简介 | 第34页 |
·测试分析 | 第34-37页 |
·差热-热重分析(DSC-TG) | 第34-35页 |
·X-ray衍射分析 | 第35页 |
·扫描电镜分析 | 第35页 |
·电性能测试 | 第35-37页 |
第三章 BaSiO_3和稀土元素掺杂BT陶瓷的研究 | 第37-59页 |
·前言 | 第37页 |
·BaSiO_3掺杂BT的研究 | 第37-44页 |
·实验样品制备 | 第37-39页 |
·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷的介电常数ε_r和介质损耗tanδ的影响 | 第39-40页 |
·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷容温变化率的影响 | 第40-41页 |
·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b的影响 | 第41页 |
·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷显微结构的影响 | 第41-43页 |
·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷物相组成的影响 | 第43-44页 |
·稀土元素掺杂BT的研究 | 第44-58页 |
·正交实验设计 | 第44-45页 |
·正交试验结果分析 | 第45-54页 |
·较好温度点下陶瓷的容温特性 | 第54页 |
·较好温度点下陶瓷的绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b | 第54-55页 |
·正交试验结果验证 | 第55-56页 |
·较好烧结温度点下陶瓷的显微结构与物相组成分析 | 第56-58页 |
·本章结论 | 第58-59页 |
第四章 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST的研究 | 第59-77页 |
·引言 | 第59页 |
·主晶相(Ba_(0.71),Sr_(0.29))TiO_3的制备 | 第59-60页 |
·助烧剂Bi_4Ti_3O_(12)的制备 | 第60-61页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂BST陶瓷的研究 | 第61-68页 |
·样品制备 | 第61页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷的介电常数ε_r和介质损耗tanδ的影响 | 第61-63页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷容温变化率的影响 | 第63-64页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对陶瓷绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b的影响 | 第64-65页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷频率变化率的影响 | 第65-66页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷显微结构的影响 | 第66-67页 |
·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷物相组成的影响 | 第67-68页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂BST陶瓷的研究 | 第68-75页 |
·样品制备 | 第68页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷的介电常数ε_r和介质损耗tanδ的影响 | 第68-69页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷容温变化率的影响 | 第69-71页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对陶瓷绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b的影响 | 第71页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷频率变化率的影响 | 第71-72页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷显微结构的影响 | 第72-74页 |
·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷物相组成的影响 | 第74-75页 |
·本章结论 | 第75-77页 |
第五章 结论与展望 | 第77-80页 |
·实验总结 | 第77-79页 |
·存在问题及展望 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-86页 |
致谢 | 第86-87页 |
在读期间发表的论文 | 第87页 |