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BT/BST基电容器陶瓷的掺杂改性研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-11页
第一章 绪论第11-31页
   ·引言第11页
   ·BT/BST陶瓷简介第11-16页
     ·钛酸钡陶瓷第11-13页
     ·钛酸锶钡陶瓷第13-16页
   ·BT/BST陶瓷的掺杂改性研究第16-21页
     ·钛酸钡第16-21页
     ·钛酸锶钡第21页
   ·BT/BST陶瓷的主要应用领域第21-28页
     ·多层陶瓷电容器第22-23页
     ·铁电微波移相器第23-26页
     ·记忆材料第26页
     ·热释电红外探测器第26-28页
   ·BT/BST介电陶瓷研究的发展趋势第28-29页
   ·本课题研究意义、目的与内容第29-31页
第二章 实验第31-37页
   ·实验所用原料及主要设备第31-32页
   ·样品制备第32-34页
     ·合成主晶相第33页
     ·成型剂的选择第33页
     ·电极的选择第33-34页
     ·主要工艺流程简介第34页
   ·测试分析第34-37页
     ·差热-热重分析(DSC-TG)第34-35页
     ·X-ray衍射分析第35页
     ·扫描电镜分析第35页
     ·电性能测试第35-37页
第三章 BaSiO_3和稀土元素掺杂BT陶瓷的研究第37-59页
   ·前言第37页
   ·BaSiO_3掺杂BT的研究第37-44页
     ·实验样品制备第37-39页
     ·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷的介电常数ε_r和介质损耗tanδ的影响第39-40页
     ·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷容温变化率的影响第40-41页
     ·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b的影响第41页
     ·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷显微结构的影响第41-43页
     ·BaSiO_3掺杂对BT陶瓷物相组成的影响第43-44页
   ·稀土元素掺杂BT的研究第44-58页
     ·正交实验设计第44-45页
     ·正交试验结果分析第45-54页
     ·较好温度点下陶瓷的容温特性第54页
     ·较好温度点下陶瓷的绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b第54-55页
     ·正交试验结果验证第55-56页
     ·较好烧结温度点下陶瓷的显微结构与物相组成分析第56-58页
   ·本章结论第58-59页
第四章 Bi_4Ti_3O_(12)掺杂BST的研究第59-77页
   ·引言第59页
   ·主晶相(Ba_(0.71),Sr_(0.29))TiO_3的制备第59-60页
   ·助烧剂Bi_4Ti_3O_(12)的制备第60-61页
   ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂BST陶瓷的研究第61-68页
     ·样品制备第61页
     ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷的介电常数ε_r和介质损耗tanδ的影响第61-63页
     ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷容温变化率的影响第63-64页
     ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对陶瓷绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b的影响第64-65页
     ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷频率变化率的影响第65-66页
     ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷显微结构的影响第66-67页
     ·低Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷物相组成的影响第67-68页
   ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂BST陶瓷的研究第68-75页
     ·样品制备第68页
     ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷的介电常数ε_r和介质损耗tanδ的影响第68-69页
     ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷容温变化率的影响第69-71页
     ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对陶瓷绝缘电阻率ρ和击穿场强E_b的影响第71页
     ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷频率变化率的影响第71-72页
     ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷显微结构的影响第72-74页
     ·高Bi_4Ti_3O_(12)量掺杂对BST陶瓷物相组成的影响第74-75页
   ·本章结论第75-77页
第五章 结论与展望第77-80页
   ·实验总结第77-79页
   ·存在问题及展望第79-80页
参考文献第80-86页
致谢第86-87页
在读期间发表的论文第87页

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