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CMP过程中抛光液流场数值仿真研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
目录第7-10页
符号说明第10-11页
第一章 绪论第11-20页
   ·课题研究背景第11-13页
   ·CMP技术研究现状第13-18页
     ·CMP的加工原理第13-14页
     ·CMP的工艺要素第14-15页
     ·国内外关于CMP机理研究的进展第15-18页
   ·课题研究的目标及意义第18页
   ·课题研究内容第18-19页
   ·论文结构安排第19-20页
第二章 激光诱导荧光(LIF)技术理论和LIF实验台的组建第20-33页
   ·激光诱导荧光技术概述第20页
   ·LIF技术的测量原理第20-24页
     ·荧光的概念及其分类第20-21页
     ·荧光的激发光谱和发射光谱第21-22页
     ·荧光的寿命第22页
     ·荧光强度与溶液浓度的关系第22-23页
     ·温度对荧光光谱和荧光强度的影响第23页
     ·pH值对荧光光谱和荧光强度的影响第23-24页
     ·散射光对荧光光谱和荧光强度的影响第24页
   ·液流的可视化测量第24-25页
   ·荧光强度方程第25页
   ·实验装置模型第25-27页
   ·实验装置第27-29页
     ·抛光机第27页
     ·激发光源第27-28页
     ·CCD装置系统第28-29页
   ·实验材料第29-31页
     ·被加工晶片第29-30页
     ·荧光染料第30-31页
   ·图像处理与分析系统第31-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 实验结果和讨论第33-41页
   ·抛光液流动特性的可视化实验设计第33-34页
   ·激光器波长选择第34-35页
   ·荧光溶液浓度的确定第35页
   ·荧光强度和液体薄膜厚度标准曲线第35-37页
   ·抛光载荷对液膜厚度的影响第37-38页
   ·抛光转速对液膜厚度的影响第38-40页
   ·本章小节第40-41页
第四章 化学机械抛光理论模型建立第41-56页
   ·计算流体力学概述第41-42页
   ·液体流动数值预测方法与步骤第42-43页
   ·化学机械抛光过程模型建立第43-47页
     ·晶片变形量第43-44页
     ·建立三维模型第44-47页
   ·CMP过程中抛光液流场雷诺方程第47-55页
     ·抛光液流场的假设第47页
     ·流体力学理论基础第47-49页
     ·抛光液流场动量方程第49-50页
     ·含压力梯度项的速度方程第50-53页
     ·抛光液流场雷诺方程第53-55页
   ·本章小节第55-56页
第五章 仿真结果分析与讨论第56-79页
   ·CMP过程中抛光液流场平衡条件第56-57页
   ·数值模拟过程设计第57-59页
   ·液膜负荷力和最小液膜厚度、晶片倾斜角的关系第59-66页
     ·固定最小液膜厚度时液膜负荷力和晶片倾斜角的关系第59-60页
     ·固定液膜负荷力时晶片倾斜角度和最小液膜厚度的关系第60-61页
     ·晶片倾斜角和液膜压力分布的关系第61-64页
     ·晶片倾斜角超过临界值后倾斜角和液膜压力分布的关系第64-66页
   ·液膜压力产生力矩和晶片倾斜角度的关系第66-68页
   ·仿真结果正确性第68-70页
   ·抛光载荷对过程参数的影响第70-74页
     ·抛光载荷和最小液膜厚度的关系第70-71页
     ·抛光载荷和晶片倾斜角度的关系第71-72页
     ·抛光载荷对液膜压力分布的影响第72-74页
   ·抛光转速对过程参数的影响第74-78页
     ·抛光转速对最小液膜厚度的影响第74-75页
     ·抛光转速对晶片倾斜角的影响第75-76页
     ·抛光转速对液膜压力分布的影响第76-78页
   ·本章小节第78-79页
第六章 总结与展望第79-82页
   ·研究总结第79-80页
   ·未来研究方向第80-82页
参考文献第82-87页
致谢第87-88页
攻读学位期间发表的学术论文、参与的科研项目与科研成果第88页

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