流延法制备氧化钨基功能材料电学性能的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| ·三氧化钨功能材料的研究进展 | 第12-18页 |
| ·WO_3的晶体结构和相变 | 第12-13页 |
| ·WO_3的性质 | 第13-14页 |
| ·WO_3的应用 | 第14-18页 |
| ·功能梯度材料 | 第18-25页 |
| ·功能梯度材料的概念 | 第18-20页 |
| ·FGM的合成与制备技术 | 第20-23页 |
| ·FGM的应用现状 | 第23-24页 |
| ·展望 | 第24-25页 |
| ·流延成型工艺的发展及其现状 | 第25-30页 |
| ·流延成型工艺的发展 | 第25页 |
| ·流延成型工艺的介绍 | 第25-29页 |
| ·流延设备 | 第29页 |
| ·流延成型的优点 | 第29-30页 |
| ·本文的研究背景和意义 | 第30页 |
| ·本文的工作 | 第30-32页 |
| 第2章 样品的制备及实验方法 | 第32-41页 |
| ·实验材料及配方 | 第32-33页 |
| ·流延设备 | 第33页 |
| ·流延法制备均质/梯度材料的工艺流程 | 第33-35页 |
| ·流延法制备均质/梯度材料的参数控制 | 第35-40页 |
| ·有机添加剂的选择 | 第35-36页 |
| ·影响流延素坯膜质量的因素 | 第36-38页 |
| ·影响叠压成型的因素 | 第38页 |
| ·影响样品烧结质量的因素 | 第38-40页 |
| ·WO_3导电陶瓷的制备 | 第40页 |
| ·测试及分析手段 | 第40-41页 |
| 第3章 Co掺杂WO_3均质材料的电学性质 | 第41-51页 |
| ·显微结构 | 第41-43页 |
| ·相结构 | 第43-44页 |
| ·电学性质 | 第44-46页 |
| ·电流—电压(I—V)特性 | 第44-46页 |
| ·微分电阻 | 第46页 |
| ·讨论 | 第46-49页 |
| ·WO_3陶瓷的非线性导电机理 | 第46-48页 |
| ·Co_2O_3掺杂WO_3陶瓷的二次势垒模型 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 Co掺杂WO_3功能梯度材料的电学性质 | 第51-59页 |
| ·显微结构 | 第51-53页 |
| ·电学性质 | 第53-56页 |
| ·电阻率 | 第53-54页 |
| ·电流—电压(I—V)特性 | 第54-56页 |
| ·讨论 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 Co、Al掺杂WO_3导电陶瓷的电学性质 | 第59-65页 |
| ·显微形貌 | 第59-60页 |
| ·相结构 | 第60-61页 |
| ·电学性质 | 第61-63页 |
| ·室温下不同方法测得的电阻率 | 第61页 |
| ·Al_2O_3的添加量对电阻率的影响 | 第61-62页 |
| ·电阻温度特性 | 第62-63页 |
| ·烧结温度对电阻率的影响 | 第63页 |
| ·讨论 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第6章 Fe掺杂WO_3均质材料的电学性质 | 第65-71页 |
| ·显微结构 | 第65-67页 |
| ·相结构 | 第67页 |
| ·电学性质 | 第67-70页 |
| ·电流—电压(I—V)特性 | 第67-68页 |
| ·阻抗分析 | 第68-70页 |
| ·介电特性 | 第70页 |
| ·讨论 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第7章 Fe掺杂WO_3功能梯度材料的电学性质 | 第71-78页 |
| ·显微结构 | 第71-72页 |
| ·电学性质 | 第72-76页 |
| ·电流—电压(I—V)特性 | 第72-74页 |
| ·阻抗分析 | 第74-76页 |
| ·讨论 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-88页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第88页 |
