| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-34页 |
| ·超导材料及发展历程 | 第13-14页 |
| ·超导材料的分类 | 第14-15页 |
| ·高温超导材料 | 第15-18页 |
| ·超导带材的发展 | 第18-25页 |
| ·第一代高温超导带材 | 第19页 |
| ·涂层导体 | 第19-21页 |
| ·涂层导体缓冲层材料 | 第21-25页 |
| ·涂层导体的制备方法 | 第25页 |
| ·化学溶液沉积法 | 第25-33页 |
| ·外延生长机理 | 第25-27页 |
| ·化学溶液沉积技术 | 第27-33页 |
| ·本论文的主要内容 | 第33-34页 |
| 第2章 实验方案及分析检测 | 第34-42页 |
| ·实验方案 | 第34-35页 |
| ·REBiO_3新型缓冲层材料的性质研究 | 第35页 |
| ·REBiO_3在单晶片上的制备 | 第35页 |
| ·REBiO_3在Ni合金基底上的制备 | 第35页 |
| ·分析检测 | 第35-42页 |
| ·晶体结构和织构 | 第35-37页 |
| ·微结构和表面形貌 | 第37-40页 |
| ·差热分析 | 第40-41页 |
| ·介电性质 | 第41页 |
| ·薄膜的厚度测定 | 第41-42页 |
| 第3章 REBiO_3的性质研究 | 第42-49页 |
| ·REBiO_3的晶体结构 | 第42-44页 |
| ·REBiO_3的电性质和磁性质 | 第44-45页 |
| ·REBiO_3在涂层导体制备过程中的稳定性 | 第45-48页 |
| ·REBiO_3在氩气中的成相 | 第46页 |
| ·REBiO_3在高温下的稳定性 | 第46页 |
| ·丙酸对REBiO_3的影响 | 第46-47页 |
| ·REBiO_3晶格的调节 | 第47-48页 |
| 小结 | 第48-49页 |
| 第4章 PACSD法制备REBiO_3和CeO_2薄膜 | 第49-74页 |
| ·单晶片上REBiO_3的PACSD法制备过程 | 第49-52页 |
| ·单晶基底的选择与清洗 | 第49页 |
| ·胶体的制备 | 第49-50页 |
| ·胶体的涂敷 | 第50-51页 |
| ·热处理 | 第51-52页 |
| ·测试与分析 | 第52-60页 |
| ·含水PACSD法制备REBiO_3 | 第52-55页 |
| ·无水PACSD法制备REBiO_3 | 第55-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| ·REBiO_3热处理工艺的研究 | 第60-65页 |
| ·DyBiO_3在空气中成相工艺的研究 | 第60-63页 |
| ·DyBiO_3在普通氩气中成相工艺的研究 | 第63-65页 |
| ·传统缓冲层CeO_2的PACSD法制备 | 第65-73页 |
| ·测试与分析 | 第66-71页 |
| ·CeO_2上生长YBCO超导层 | 第71-73页 |
| 小结 | 第73-74页 |
| 第5章 REBiO_3在Ni合金基带上的制备 | 第74-96页 |
| ·金属氧化的基本理论 | 第74-82页 |
| ·金属氧化的基本过程 | 第74-76页 |
| ·金属氧化热力学 | 第76-77页 |
| ·氧化的动力学规律 | 第77-78页 |
| ·金属氧化动力学 | 第78-79页 |
| ·金属氧化过程中的晶界位置 | 第79-80页 |
| ·致密完整的氧化膜应具备的条件 | 第80-81页 |
| ·影响氧化过程的因素 | 第81-82页 |
| ·稀释气体中的金属氧化 | 第82页 |
| ·NiW基带的自氧化外延 | 第82-92页 |
| ·NiW基带的清洗 | 第83页 |
| ·NiW基带的自氧化外延工艺 | 第83-84页 |
| ·测试与分析 | 第84-92页 |
| ·致密织构的NiO薄膜上生长REBiO_3 | 第92-95页 |
| ·在第一种方法制备的NiO上外延REBiO_3 | 第92-94页 |
| ·在第二种方法制备的NiO上外延REBiO_3 | 第94-95页 |
| 小结 | 第95-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-107页 |
| 攻读硕士期间发表的论文和科研成果 | 第107-108页 |