| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-17页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·电离层简介 | 第10-14页 |
| ·电离层的发现 | 第11页 |
| ·电离层探测技术 | 第11-13页 |
| ·电离层模型理论研究状况 | 第13-14页 |
| ·电离层物理研究的最近发展 | 第14-15页 |
| ·总电子含量 | 第15页 |
| ·本文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 KLOBUCHAR 模型分析 | 第17-24页 |
| ·KLOBUCHAR 模型简介 | 第17页 |
| ·KLOBUCHAR 模型理论 | 第17-19页 |
| ·KLOBUCHAR 模型TEC 的预报及其与IGS 数据产品的比较 | 第19-23页 |
| ·IGS 数据产品 | 第19页 |
| ·Klobuchar 模型TEC 的预报 | 第19-22页 |
| ·Klobuchar 模型预报的TEC 与IGS 数据的比较 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 国际参考电离层模型分析 | 第24-41页 |
| ·国际参考电离层简介 | 第24-25页 |
| ·IRI 中电离层TEC 的计算 | 第25-33页 |
| ·顶部电子密度剖面（h>hmF2） | 第25-29页 |
| ·F2 层电子密度剖面(hmF1≤h≤hmF2) | 第29-30页 |
| ·F1 层电子密度剖面(HZ≤h≤hmF1) | 第30-31页 |
| ·中间区域电子密度剖面( h_(vt) ≤h≤HZ) | 第31-32页 |
| ·E层峰和谷区电子密度剖面(hmE≤h≤h_(vt) ) | 第32-33页 |
| ·D层和E 层底部电子密度剖面(HA≤h≤hmE) | 第33页 |
| ·国际参考电离层TEC 的预报及其与IGS 数据产品的比较 | 第33-40页 |
| ·IRI2001 和IRI2007 的TEC 预报的比较 | 第33-37页 |
| ·IRI2007 中电离层TEC 的预报 | 第37-39页 |
| ·IRI2007 预报的TEC 与IGS 数据的比较 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于时间序列的电离层TEC 预报模型研究 | 第41-59页 |
| ·时间序列预报模型简介 | 第41-42页 |
| ·时间序列预报模型的理论 | 第42-52页 |
| ·时间序列预报的基础理论 | 第42-44页 |
| ·ARMA 模型的定义 | 第44-46页 |
| ·ARMA（p,q）模型预报电离层TEC | 第46-51页 |
| ·程序处理流程 | 第51-52页 |
| ·时间序列的实际预报 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 三种电离层TEC 预报模型在工程中的应用比较 | 第59-70页 |
| ·三种电离层预报模型的精度比较 | 第59-64页 |
| ·三种电离层预报模型的应用选择 | 第64-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
