| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| ·Ga_2O_3的结构、性质与应用 | 第10-18页 |
| ·Ga_2O_3的结构 | 第10-13页 |
| ·β-Ga_2O_3的晶体结构 | 第11页 |
| ·Ga_2O_3的能带结构 | 第11-13页 |
| ·Ga_2O_3的基本物理参数 | 第13页 |
| ·Ga_2O_3的性质 | 第13-14页 |
| ·Ga_2O_3的气敏性质 | 第13-14页 |
| ·Ga_2O_3的光电性质 | 第14页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的应用 | 第14-18页 |
| ·气敏传感器 | 第14页 |
| ·薄膜电致发光器件(TFEL) | 第14-15页 |
| ·紫外探测器 | 第15页 |
| ·自旋电子学器件 | 第15-18页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的制备方法和表征手段 | 第18-31页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第18-24页 |
| ·溅射法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第19-20页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第21页 |
| ·喷雾热解法(Spray Pyrolysis) | 第21-22页 |
| ·溶胶—凝胶法(Sol-Gel) | 第22-24页 |
| ·磁控溅射法 | 第24-28页 |
| ·直流磁控溅射 | 第24-27页 |
| ·射频磁控溅射 | 第27页 |
| ·磁控溅射的优点 | 第27-28页 |
| ·锰掺杂Ga_2O_3薄膜的表征手段 | 第28-31页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第29-30页 |
| ·椭圆偏振仪 | 第30-31页 |
| ·本文的选题依据、目的和内容 | 第31-33页 |
| 第二章 Mn掺杂Ga_2O_3薄膜的制备 | 第33-40页 |
| ·实验设备 | 第33-34页 |
| ·实验步骤与实验参数 | 第34-35页 |
| ·影响沉积速率的因素分析 | 第35-39页 |
| ·沉积速率与溅射功率的关系 | 第36-37页 |
| ·沉积速率与腔室气压的关系 | 第37-38页 |
| ·沉积速率与氧分压的关系 | 第38-39页 |
| ·薄膜质量与衬底温度的关系 | 第39页 |
| ·薄膜质量与工件转速的关系 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 热处理对Ga_2O_3薄膜结构的影响 | 第40-45页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·结果与分析 | 第41-44页 |
| ·表面形貌 | 第41-43页 |
| ·XRD分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 锰含量对Ga_2O_3薄膜的结构与光学性能的影响 | 第45-56页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·材料及设备 | 第45页 |
| ·薄膜制备 | 第45-46页 |
| ·测试方法 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-55页 |
| ·形貌 | 第46-48页 |
| ·EDS分析 | 第48-49页 |
| ·XRD分析 | 第49-51页 |
| ·光吸收性能 | 第51-52页 |
| ·光学常数 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 全文总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |