| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| 第二章 绪论 | 第12-22页 |
| ·LiNbO_3的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·LiNbO_3的压电性能 | 第13-15页 |
| ·LiNbO_3在声表面波滤波器中的发展应用及原理 | 第15-19页 |
| ·声表面波滤波器的原理 | 第16-18页 |
| ·声表面波滤波器的发展趋势 | 第18-19页 |
| ·LiNbO_3薄膜的制备技术 | 第19页 |
| ·本文的立题依据与主要工作 | 第19-22页 |
| 第三章 设备原理和实验过程 | 第22-32页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第22-27页 |
| ·脉冲激光沉积概述 | 第22-23页 |
| ·PLD的基本原理 | 第23-27页 |
| ·PLD实验系统简介 | 第27-29页 |
| ·LiNbO_3薄膜的生长工艺 | 第29-32页 |
| 第四章 热氧化硅片为衬底的LiNbO_3薄膜的制备 | 第32-43页 |
| ·工艺参数对LiNbO_3薄膜的影响 | 第32-41页 |
| ·衬底温度对LiNbO_3薄膜取向生长的影响 | 第32-37页 |
| ·氧压对LiNbO_3薄膜的影响 | 第37-40页 |
| ·激光频率对LiNbO_3薄膜的影响 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 硅片上PLD沉积SiO_2为衬底LiNbO_3薄膜的制备 | 第43-51页 |
| ·衬底温度对LiNbO_3薄膜取向生长的影响 | 第44-46页 |
| ·氧压、激光频率对LiNbO_3薄膜取向生长的影响 | 第46-47页 |
| ·可控生长(012)、(104)、(006)取向的LiNbO_3薄膜 | 第47-49页 |
| ·本章小节 | 第49-51页 |
| 第六章 金刚石层制备与SiO_2\diamond\Si衬底上LiNbO_3生长初探 | 第51-62页 |
| ·金刚石的性质及在声表面波器件中的应用 | 第51-52页 |
| ·金刚石的基本结构与性质 | 第51-52页 |
| ·金刚石力学性能与在声表面波器件中的应用 | 第52页 |
| ·SAW基底用的金刚石的制备 | 第52-57页 |
| ·金刚石制备设置简介 | 第52-54页 |
| ·金刚石制备的具体参数及过程 | 第54-57页 |
| ·实验结果总结 | 第57页 |
| ·SiO_2\diamond\Si衬底上LiNbO_3生长初探 | 第57-62页 |
| ·实验参数及结果分析 | 第57-61页 |
| ·实验结果总结 | 第61-62页 |
| 第七章 总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 硕士期间发表论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
