| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-12页 |
| ·稀磁半导体概述 | 第10页 |
| ·稀磁半导体的研究历史 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体的应用及其前景 | 第11-12页 |
| ·GaN基宽带隙稀磁半导体(Ga,Mn)N | 第12-18页 |
| ·GaN的基本特性 | 第12-14页 |
| ·GaMnN的研究近况 | 第14-18页 |
| 第二章 磁共振隧穿二极管 | 第18-25页 |
| ·磁RTD的研究意义 | 第18页 |
| ·磁共振隧穿结构 | 第18-25页 |
| ·双势垒TMR结构 | 第19-20页 |
| ·磁RTD结构 | 第20-25页 |
| 第三章 InGaN/GaMnN双势垒铁磁共振隧穿二极管的特性研究 | 第25-35页 |
| ·器件结构和计算方法 | 第25-27页 |
| ·In浓度对GaN/GaMnN铁磁RTD铁磁性能的影响 | 第27-29页 |
| ·温度对InGaN/GaMnN铁磁RTD铁磁性能的影响 | 第29-32页 |
| ·自旋分裂能对InGaN/GaMnN铁磁RTD铁磁性能的影响 | 第32-35页 |
| 第四章 InGaN/GaMnN三势垒铁磁共振隧穿二极管的特性研究 | 第35-42页 |
| ·器件结构和计算方法 | 第35-36页 |
| ·平行结构下三势垒铁磁RTD铁磁性能的研究 | 第36-38页 |
| ·两种反平行结构下三势垒铁磁RTD磁电流的研究 | 第38-42页 |
| ·两种反平行结构及磁电流的计算方法 | 第38-39页 |
| ·不同磁化结构对三势垒铁磁RTD磁电流的影响 | 第39-42页 |
| 第五章 AlGaN/GaMnN双势垒铁磁共振隧穿二极管自旋极化度的调制 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·Mn掺杂在发射极时极化电荷对铁磁RTD自旋极化度的调制 | 第42-48页 |
| ·器件模型 | 第42-43页 |
| ·极化电荷对铁磁eRTD的I-V曲线和自旋极化度的影响 | 第43-47页 |
| ·极化方向对铁磁RTD自旋极化度的调制 | 第47-48页 |
| ·Mn掺杂在器件时中极化电荷对铁磁RTD自旋极化度的调制 | 第48-52页 |
| ·器件模型 | 第48-49页 |
| ·极化电荷对铁磁dRTD的I-V曲线和自旋极化度的影响 | 第49-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-54页 |
| 附录 发表论文和科研情况 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
