| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 文献综述 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO基材料的基本性质与ZAO的性能要求 | 第10-13页 |
| ·ZnO基材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO:Al薄膜的性能要求 | 第11-13页 |
| ·ZnO:Al的主要应用前景 | 第13-15页 |
| ·透明电极 | 第13-14页 |
| ·电磁屏蔽和防静电膜 | 第14页 |
| ·面发热膜 | 第14页 |
| ·触摸屏 | 第14页 |
| ·气敏传感器 | 第14-15页 |
| ·ZAO薄膜的主要制备方法 | 第15-17页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第15页 |
| ·化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·分子束外延 | 第16页 |
| ·溶胶凝胶 | 第16页 |
| ·喷雾热解 | 第16-17页 |
| ·磁控溅射 | 第17页 |
| ·磁控溅射制备ZnO:Al薄膜的研究现状 | 第17-20页 |
| ·磁控溅射制备ZnO:Al薄膜技术路线 | 第18页 |
| ·ZnO:Al透明导电薄膜的低温沉积 | 第18-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 2 ZnO:Al薄膜的制备方法和表征手段 | 第21-29页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第21-24页 |
| ·辉光放电原理 | 第21-23页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第23-24页 |
| ·ZAO薄膜的实验制备 | 第24-26页 |
| ·实验设备 | 第24-25页 |
| ·靶材 | 第25页 |
| ·衬底及其清洗 | 第25页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第25-26页 |
| ·ZAO薄膜的性能表征 | 第26-29页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27页 |
| ·霍尔测试系统 | 第27-28页 |
| ·透射谱 | 第28页 |
| ·其他表征方法 | 第28-29页 |
| 3 磁控溅射法制备ZnO:Al薄膜及特性研究 | 第29-43页 |
| ·衬底温度对ZnO:Al薄膜性能的影响 | 第29-32页 |
| ·衬底温度对ZnO:Al薄膜结构的影响 | 第29-30页 |
| ·衬底温度对ZnO:Al电学性能的影响 | 第30-31页 |
| ·衬底温度对ZnO:Al光学性能的影响 | 第31-32页 |
| ·溅射功率对ZnO:Al薄膜性能的影响 | 第32-37页 |
| ·溅射功率对ZnO:Al薄膜结构的影响 | 第33-34页 |
| ·溅射功率对ZnO:Al电学性能的影响 | 第34-36页 |
| ·溅射功率对ZnO:Al光学性能的影响 | 第36-37页 |
| ·退火气氛对ZnO:Al薄膜性能的影响 | 第37-42页 |
| ·退火气氛对ZnO:Al薄膜结构的影响 | 第37-39页 |
| ·退火气氛对ZnO:Al电学性能的影响 | 第39-41页 |
| ·退火气氛对ZnO:Al光学性能的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 磁控溅射低温制备ZnO:Al薄膜及特性研究 | 第43-62页 |
| ·掺H_2气氛下ZnO:Al薄膜的低温沉积及性能研究 | 第43-50页 |
| ·样品制备及表征手段 | 第43-44页 |
| ·氢气流量对ZnO:Al薄膜性能的影响 | 第44-50页 |
| ·双靶共溅射低温沉积ZnO:Al薄膜及性能研究 | 第50-60页 |
| ·样品制备及表征手段 | 第50-51页 |
| ·Zn靶溅射功率对ZnO:Al薄膜性能的影响 | 第51-56页 |
| ·二靶共溅射衬底温度对ZnO:Al薄膜的影响 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 5 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |