| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 变量注释表 | 第17-20页 |
| 1 绪论 | 第20-29页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第20-22页 |
| 1.2 SiC MOSFET国内外研究现状 | 第22-27页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第27-29页 |
| 2 SiC MOSFET及其基本特性分析 | 第29-53页 |
| 2.1 碳化硅材料及其结构特性 | 第29-30页 |
| 2.2 SiC MOSFET结构及工作原理 | 第30-32页 |
| 2.3 SiC MOSFET静态特性及参数分析 | 第32-39页 |
| 2.4 SiC MOSFET动态特性实验分析 | 第39-51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 3 SiC MOSFET三相电压源逆变器同步整流不连续脉宽调制策略研究 | 第53-71页 |
| 3.1 SiC MOSFET在逆变器中的第三象限工作特性 | 第53-54页 |
| 3.2 同步整流不连续脉宽调制 | 第54-63页 |
| 3.3 SRDPWM谐波性能的二重傅里叶分析 | 第63-67页 |
| 3.4 SiC MOSFET三相逆变器功率损耗建模 | 第67-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 4 SiC MOSFET三相电压源逆变器样机研制及实验分析 | 第71-94页 |
| 4.1 功率电路设计 | 第71-74页 |
| 4.2 散热系统分析及优化设计 | 第74-86页 |
| 4.3 SiC MOSFET三相逆变器实验结果分析 | 第86-93页 |
| 4.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 5 总结与展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-102页 |
| 作者简历 | 第102-104页 |
| 学位论文数据集 | 第104页 |
