| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-42页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 直立石墨烯纳米片 | 第12-20页 |
| 1.2.1 直立石墨烯纳米片的主要生长方法 | 第13-18页 |
| 1.2.2 直立石墨烯纳米片的生长机理 | 第18页 |
| 1.2.3 直立石墨烯纳米片的特性及应用 | 第18-20页 |
| 1.3 纳米金刚石薄膜 | 第20-27页 |
| 1.3.1 纳米金刚石薄膜的主要生长方法 | 第21-23页 |
| 1.3.2 纳米金刚石薄膜的生长机理 | 第23-24页 |
| 1.3.3 纳米金刚石薄膜的特性及应用 | 第24-27页 |
| 1.4 论文的研究意义和研究内容 | 第27-29页 |
| 1.4.1 本论文的研究意义 | 第27页 |
| 1.4.2 本论文的创新点 | 第27-28页 |
| 1.4.3 本论文的研究内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-42页 |
| 第二章 实验装置与表征方法 | 第42-48页 |
| 2.1 实验材料 | 第42页 |
| 2.2 实验仪器 | 第42-44页 |
| 2.3 材料表征设备及方法 | 第44-46页 |
| 2.4 冷阴极场发射性能测试 | 第46-48页 |
| 第三章 利用热CVD制备直立石墨烯纳米片阵列及场发射性能研究 | 第48-65页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 实验过程 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-60页 |
| 3.3.1 催化剂预处理温度对直立石墨烯纳米片生长的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.2 生长参数对直立石墨烯纳米片生长的影响 | 第51-57页 |
| 3.3.3 直立石墨烯纳米片的生长机理 | 第57-59页 |
| 3.3.4 热CVD法制备的直立石墨烯纳米片的场发射性能 | 第59-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第四章 利用管式炉中的热化学生长技术图案化制备直立石墨烯纳米片阵列及场发射性能研究 | 第65-97页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验过程 | 第66-67页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第67-92页 |
| 4.3.1 不锈钢片表面粗糙度对直立石墨烯纳米片生长的影响 | 第67-72页 |
| 4.3.2 生长温度对直立石墨烯纳米片生长的影响 | 第72-75页 |
| 4.3.3 氮掺杂浓度对直立石墨烯纳米片生长的影响 | 第75-81页 |
| 4.3.4 本征/氮掺杂直立石墨烯纳米片的生长机理 | 第81-83页 |
| 4.3.5 图案化生长直立石墨烯纳米片阵列薄膜 | 第83-84页 |
| 4.3.6 本征/氮掺杂直立石墨烯纳米片阵列的场发射性能 | 第84-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第五章 利用管式炉中的热化学生长技术制备纳米金刚石薄膜及场发射性能研究 | 第97-129页 |
| 5.1 引言 | 第97-98页 |
| 5.2 实验过程 | 第98-99页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第99-124页 |
| 5.3.1 镍薄膜厚度对纳米金刚石薄膜生长的影响 | 第99-103页 |
| 5.3.2 氮掺杂浓度对纳米金刚石薄膜生长的影响 | 第103-112页 |
| 5.3.3 纳米金刚石薄膜的生长机理 | 第112-119页 |
| 5.3.4 本征/氮掺杂纳米金刚石薄膜的场发射性能 | 第119-124页 |
| 5.4 本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-129页 |
| 第六章 总结与展望 | 第129-132页 |
| 6.1 总结 | 第129-130页 |
| 6.2 工作展望 | 第130-132页 |
| 在学期间的研究成果 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134页 |
