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碲锌镉晶体缺陷的物理性能和抑制技术的研究

摘要第4-8页
abstract第8-12页
第1章 引言第16-38页
    1.1 CZT晶体的应用领域第16页
    1.2 CZT晶体的研究进展第16-28页
        1.2.1 CZT晶体生长技术综述第16-18页
        1.2.2 CZT晶体缺陷研究工作的进展第18-28页
    1.3 CZT材料中缺陷控制和消除技术第28-33页
        1.3.1 生长工艺控制技术第28-29页
        1.3.2 CZT材料的热处理技术第29-33页
    1.4 CZT材料缺陷对外延材料及器件性能的影响第33-34页
        1.4.1 CZT缺陷对外延材料性能的影响第33页
        1.4.2 材料缺陷对探测器性能的影响第33-34页
    1.5 CZT衬底材料存在的主要问题第34-35页
        1.5.1 当前缺陷存在的问题第34-35页
        1.5.2 材料制备技术存在的问题第35页
    1.6 本论文的研究目的及内容安排第35-38页
第2章 CZT材料制备工艺的介绍第38-46页
    2.0 源材料第38页
    2.1 CZT多晶合成第38-41页
        2.1.1 反应容器倾角对合成的影响第39-40页
        2.1.2 反应物排布方式对合成反应的影响第40页
        2.1.3 合成反应的损耗控制研究第40-41页
    2.2 CZT材料的生长第41-42页
    2.3 衬底的加工第42-43页
    2.4 热处理第43-44页
    2.5 材料质量的评价第44-45页
        2.5.1 位错腐蚀坑揭示技术第44页
        2.5.2 红外光学显微镜扫描拼图技术第44页
        2.5.3 场发射扫描电子显微镜技术第44页
        2.5.4 Zn面组分扫描技术第44-45页
    2.6 本章小结第45-46页
第3章 Cd空位的特性及其控制技术第46-62页
    3.1 Cd空位起源第46-48页
    3.2 基本物理特性第48-49页
        3.2.0 Cd空位的晶格结构特征第48页
        3.2.1 Cd空位的光吸收特性第48-49页
    3.3 Cd空位缺陷的形成机理分析第49-55页
        3.3.1 晶格结构对形成Cd空位的影响第49页
        3.3.2 化学计量比变化对形成Cd空位的影响第49-55页
    3.4 优化晶体生长工艺消除Cd空位技术第55-57页
    3.5 热处理消除Cd空位技术第57-61页
        3.5.1 多层套管式开管热处理技术第57-60页
        3.5.2 热处理消除Cd空位技术第60-61页
    3.6 本章小结第61-62页
第4章 非晶相缺陷的特性及其控制技术第62-92页
    4.1 非晶相缺陷的特性第62-68页
        4.1.1 非晶相缺陷的结构特性第62-66页
        4.1.2 非晶相缺陷的分布特性第66-68页
    4.2 非晶相缺陷的形成机理第68-74页
        4.2.1 液相包裹物的形成机理第68-72页
        4.2.2 固态非平衡相导致的沉淀析出第72-74页
    4.3 非晶相缺陷的热处理技术第74-78页
        4.3.1 非晶相热处理技术的原理第74-75页
        4.3.2 晶片热处理工艺的选择第75-78页
    4.4 非晶相缺陷尺寸减小的效果第78-90页
        4.4.1 富镉非晶相缺陷抑制技术的效果评价第78-82页
        4.4.2 富碲非晶相缺陷抑制技术的效果评价第82-90页
    4.5 批量消除CZT非晶相缺陷热处理技术的应用第90页
    4.6 本章小结第90-92页
第5章 晶界缺陷延伸带的特性及其控制技术第92-104页
    5.1 晶界延伸带的基本特性第92-96页
        5.1.1 晶界延伸带的宏观结构第92-95页
        5.1.2 晶界延伸带缺陷区域晶体的微观结构第95-96页
    5.2 晶界延伸带的形成机理第96-100页
        5.2.1 晶界延伸带缺陷分布和EPD分布的关系第96页
        5.2.2 晶界延伸带缺陷分布和Zn组分分布的关系第96-97页
        5.2.3 晶界延伸带缺陷分布和红外透过率分布的关系第97-98页
        5.2.4 缺陷延伸带形成机理的研究第98-100页
    5.3 晶界延伸带的抑制技术第100-102页
    5.4 本章小结第102-104页
第6章 孪晶的特性及其控制技术第104-126页
    6.1 孪晶的基本特性第104-107页
        6.1.1 CZT晶体中孪晶的宏观结构第104页
        6.1.2 CZT晶体中孪晶的微观结构第104-107页
    6.2 孪晶的形成机理第107-114页
        6.2.1 孪晶在晶体中出现的位置分析第107-109页
        6.2.2 孪晶的形成方向研究第109-112页
        6.2.3 影响孪晶的形成因素分析第112-114页
    6.3 孪晶的抑制技术第114-124页
        6.3.1 生长工艺控制技术第115-119页
        6.3.2 定向籽晶技术第119-122页
        6.3.3 .晶体生长的工艺的重复性控制第122-124页
    6.4 孪晶抑制技术的应用第124页
    6.5 本章小结第124-126页
第7章 总结与展望第126-130页
    7.1 全文总结第126-128页
    7.2 本课题展望第128-130页
参考文献第130-138页
致谢第138-140页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第140-141页

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