| 摘要 | 第4-8页 |
| abstract | 第8-12页 |
| 第1章 引言 | 第16-38页 |
| 1.1 CZT晶体的应用领域 | 第16页 |
| 1.2 CZT晶体的研究进展 | 第16-28页 |
| 1.2.1 CZT晶体生长技术综述 | 第16-18页 |
| 1.2.2 CZT晶体缺陷研究工作的进展 | 第18-28页 |
| 1.3 CZT材料中缺陷控制和消除技术 | 第28-33页 |
| 1.3.1 生长工艺控制技术 | 第28-29页 |
| 1.3.2 CZT材料的热处理技术 | 第29-33页 |
| 1.4 CZT材料缺陷对外延材料及器件性能的影响 | 第33-34页 |
| 1.4.1 CZT缺陷对外延材料性能的影响 | 第33页 |
| 1.4.2 材料缺陷对探测器性能的影响 | 第33-34页 |
| 1.5 CZT衬底材料存在的主要问题 | 第34-35页 |
| 1.5.1 当前缺陷存在的问题 | 第34-35页 |
| 1.5.2 材料制备技术存在的问题 | 第35页 |
| 1.6 本论文的研究目的及内容安排 | 第35-38页 |
| 第2章 CZT材料制备工艺的介绍 | 第38-46页 |
| 2.0 源材料 | 第38页 |
| 2.1 CZT多晶合成 | 第38-41页 |
| 2.1.1 反应容器倾角对合成的影响 | 第39-40页 |
| 2.1.2 反应物排布方式对合成反应的影响 | 第40页 |
| 2.1.3 合成反应的损耗控制研究 | 第40-41页 |
| 2.2 CZT材料的生长 | 第41-42页 |
| 2.3 衬底的加工 | 第42-43页 |
| 2.4 热处理 | 第43-44页 |
| 2.5 材料质量的评价 | 第44-45页 |
| 2.5.1 位错腐蚀坑揭示技术 | 第44页 |
| 2.5.2 红外光学显微镜扫描拼图技术 | 第44页 |
| 2.5.3 场发射扫描电子显微镜技术 | 第44页 |
| 2.5.4 Zn面组分扫描技术 | 第44-45页 |
| 2.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 Cd空位的特性及其控制技术 | 第46-62页 |
| 3.1 Cd空位起源 | 第46-48页 |
| 3.2 基本物理特性 | 第48-49页 |
| 3.2.0 Cd空位的晶格结构特征 | 第48页 |
| 3.2.1 Cd空位的光吸收特性 | 第48-49页 |
| 3.3 Cd空位缺陷的形成机理分析 | 第49-55页 |
| 3.3.1 晶格结构对形成Cd空位的影响 | 第49页 |
| 3.3.2 化学计量比变化对形成Cd空位的影响 | 第49-55页 |
| 3.4 优化晶体生长工艺消除Cd空位技术 | 第55-57页 |
| 3.5 热处理消除Cd空位技术 | 第57-61页 |
| 3.5.1 多层套管式开管热处理技术 | 第57-60页 |
| 3.5.2 热处理消除Cd空位技术 | 第60-61页 |
| 3.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 非晶相缺陷的特性及其控制技术 | 第62-92页 |
| 4.1 非晶相缺陷的特性 | 第62-68页 |
| 4.1.1 非晶相缺陷的结构特性 | 第62-66页 |
| 4.1.2 非晶相缺陷的分布特性 | 第66-68页 |
| 4.2 非晶相缺陷的形成机理 | 第68-74页 |
| 4.2.1 液相包裹物的形成机理 | 第68-72页 |
| 4.2.2 固态非平衡相导致的沉淀析出 | 第72-74页 |
| 4.3 非晶相缺陷的热处理技术 | 第74-78页 |
| 4.3.1 非晶相热处理技术的原理 | 第74-75页 |
| 4.3.2 晶片热处理工艺的选择 | 第75-78页 |
| 4.4 非晶相缺陷尺寸减小的效果 | 第78-90页 |
| 4.4.1 富镉非晶相缺陷抑制技术的效果评价 | 第78-82页 |
| 4.4.2 富碲非晶相缺陷抑制技术的效果评价 | 第82-90页 |
| 4.5 批量消除CZT非晶相缺陷热处理技术的应用 | 第90页 |
| 4.6 本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 晶界缺陷延伸带的特性及其控制技术 | 第92-104页 |
| 5.1 晶界延伸带的基本特性 | 第92-96页 |
| 5.1.1 晶界延伸带的宏观结构 | 第92-95页 |
| 5.1.2 晶界延伸带缺陷区域晶体的微观结构 | 第95-96页 |
| 5.2 晶界延伸带的形成机理 | 第96-100页 |
| 5.2.1 晶界延伸带缺陷分布和EPD分布的关系 | 第96页 |
| 5.2.2 晶界延伸带缺陷分布和Zn组分分布的关系 | 第96-97页 |
| 5.2.3 晶界延伸带缺陷分布和红外透过率分布的关系 | 第97-98页 |
| 5.2.4 缺陷延伸带形成机理的研究 | 第98-100页 |
| 5.3 晶界延伸带的抑制技术 | 第100-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第6章 孪晶的特性及其控制技术 | 第104-126页 |
| 6.1 孪晶的基本特性 | 第104-107页 |
| 6.1.1 CZT晶体中孪晶的宏观结构 | 第104页 |
| 6.1.2 CZT晶体中孪晶的微观结构 | 第104-107页 |
| 6.2 孪晶的形成机理 | 第107-114页 |
| 6.2.1 孪晶在晶体中出现的位置分析 | 第107-109页 |
| 6.2.2 孪晶的形成方向研究 | 第109-112页 |
| 6.2.3 影响孪晶的形成因素分析 | 第112-114页 |
| 6.3 孪晶的抑制技术 | 第114-124页 |
| 6.3.1 生长工艺控制技术 | 第115-119页 |
| 6.3.2 定向籽晶技术 | 第119-122页 |
| 6.3.3 .晶体生长的工艺的重复性控制 | 第122-124页 |
| 6.4 孪晶抑制技术的应用 | 第124页 |
| 6.5 本章小结 | 第124-126页 |
| 第7章 总结与展望 | 第126-130页 |
| 7.1 全文总结 | 第126-128页 |
| 7.2 本课题展望 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第140-141页 |