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航天用GaN基640×8元紫外焦平面探测器读出电路研究与设计

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第12-25页
    1.1 引言第12-14页
    1.2 紫外探测技术概述第14-18页
        1.2.1 紫外探测技术的应用第14-16页
        1.2.2 紫外探测器种类及发展现状第16-17页
        1.2.3 GaN基紫外探测器及其研究状况第17-18页
    1.3 紫外焦平面探测器与读出电路研究现状第18-22页
        1.3.1 GaN基紫外焦平面发展历程第18-19页
        1.3.2 读出电路发展现状及发展趋势第19-22页
    1.4 本论文的内容安排、研究意义及创新点介绍第22-25页
        1.4.1 研究内容及研究意义第22-23页
        1.4.2 本论文的内容安排第23-24页
        1.4.3 创新点介绍第24-25页
第二章 输入级电路结构设计第25-60页
    2.1 紫外探测器器件模型第25-33页
        2.1.1 p-i-n紫外探测器原理第25-28页
        2.1.2 器件结构及器件性能第28-30页
        2.1.3 器件简化模型第30-33页
    2.2 典型的读出电路输入级结构及其性能对比第33-45页
        2.2.1 自积分结构(SI)第34页
        2.2.2 直接注入结构(DI)第34-36页
        2.2.3 源跟随器结构(SFD)第36-38页
        2.2.4 栅调制输入(GMI)第38页
        2.2.5 冲直接注入结构(BDI)第38-39页
        2.2.6 容反馈跨阻放大器(CTIA)第39-41页
        2.2.7 共缓冲直接注入结构(SBDI)第41-42页
        2.2.8 开关电流积分结构(SCI)第42-43页
        2.2.9 缓冲栅调制结构(BGMI)第43-44页
        2.2.10 型读出电路输入级结构对比及本文方案确定第44-45页
    2.3 CTIA输入级电路设计第45-60页
        2.3.1 CTIA结构注入效率分析第45-53页
        2.3.2 CTIA电路设计第53-60页
第三章 640×8元读出电路设计第60-81页
    3.1 电路结构设计第60-77页
        3.1.1 读出电路整体架构第60-61页
        3.1.2 相关双采样电路第61-66页
        3.1.3 列级缓冲电路第66-68页
        3.1.4 输出级缓冲器设计第68-73页
        3.1.5 行选电路第73-75页
        3.1.6 列选择电路第75-76页
        3.1.7 读出电路功能仿真第76-77页
    3.2 读出电路版图设计第77-81页
        3.2.1 探测器倒焊电极第78页
        3.2.2 CTIA输入级版图设计第78-79页
        3.2.3 抗闩锁设计第79-80页
        3.2.4 读出电路整体版图第80-81页
第四章 焦平面器件测试及测试结果分析第81-101页
    4.1 紫外焦平面器件参数测试方法第81-88页
        4.1.1 紫外焦平面探测器测试系统第81-83页
        4.1.2 紫外焦平面探测器性能参数及测试方法第83-85页
        4.1.3 MTF测试方法及测试结果第85-88页
    4.2 紫外焦平面器件测试结果及分析第88-101页
        4.2.1 电学参数测量结果第89-91页
        4.2.2 紫外焦平面探测器光谱响应及带外光谱抑制第91-93页
        4.2.3 外量子效率分析第93-95页
        4.2.4 线性度及噪声性能分析第95-101页
第五章 读出电路抗辐照性能研究第101-113页
    5.1 电离总剂量辐照第101-107页
        5.1.1 抗辐照加固设计第101-104页
        5.1.2 电离总剂量辐照实验及结果分析第104-107页
    5.2 单粒子辐照第107-113页
第六章 总结与展望第113-115页
    6.1 总结第113-114页
    6.2 展望第114-115页
参考文献第115-124页
致谢第124-126页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第126页

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