摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第10-15页 |
1.1 液晶材料 | 第10-11页 |
1.2 医药温控液晶材料 | 第11-12页 |
1.3 痕量金属元素分析方法 | 第12-14页 |
1.3.1 痕量分析 | 第12页 |
1.3.2 常用的痕量金属分析手法 | 第12-14页 |
1.4 本文的基本构想和研究内容 | 第14-15页 |
2 医药温控液晶及痕量金属杂质的影响实例 | 第15-25页 |
2.1 液晶材料的性质 | 第15-16页 |
2.2 医药温控液晶材料的性质和应用 | 第16-17页 |
2.2.1 医药温控液晶材料的性质和原理 | 第16-17页 |
2.2.2 医药温控液晶材料在医药领域应用 | 第17页 |
2.3 医药温控液晶材料中各类杂质的影响以及实例 | 第17-20页 |
2.3.1 液晶中物理性杂质 | 第18-19页 |
2.3.2 液晶中化学性杂质 | 第19-20页 |
2.4 医药温控液晶材料中金属杂质 | 第20-24页 |
2.4.1 液晶生产过程以及液晶中金属杂质的来源 | 第20-21页 |
2.4.2 医药温控液晶中金属杂质对于性能的影响 | 第21页 |
2.4.3 金属杂质造成的医药温控器件异常实际案例解析 | 第21-24页 |
2.5 液晶材料中痕量金属杂质分析技术的比较 | 第24-25页 |
3 电感耦合等离子体技术以及液晶相关配置改造 | 第25-33页 |
3.1 引言 | 第25页 |
3.2 ICPMS的发展 | 第25-26页 |
3.3 ICP-MS的特点 | 第26页 |
3.4 ICP-MS的基本原理结构及针对液晶材料的设备配置 | 第26-33页 |
3.4.1 ICP-MS基本原理 | 第26-28页 |
3.4.2 ICP-MS各部件介绍及针对液晶材料测试的配置 | 第28-32页 |
3.4.3 液晶材料测试配置有机加氧系统以及改造 | 第32-33页 |
4 痕量金属杂质的ICP-MS分析方法开发 | 第33-53页 |
4.1 引言 | 第33页 |
4.2 试验方法 | 第33-40页 |
4.2.1 仪器以及主要设备配置 | 第33-34页 |
4.2.2 主要试剂以及溶液配制 | 第34页 |
4.2.3 器皿以及工作环境 | 第34页 |
4.2.4 样品处理方式以及测试参数的选定 | 第34-38页 |
4.2.5 定量方法 | 第38-40页 |
4.3 测试数据中的干扰分析 | 第40-48页 |
4.3.1 物理性的干扰 | 第40-43页 |
4.3.2 质谱性干扰 | 第43-48页 |
4.4 结果与讨论 | 第48-51页 |
4.4.1 两种前处理方式的数据比较 | 第48-50页 |
4.4.2 方法的精密度和检测限 | 第50-51页 |
4.4.3 方法回收率实验 | 第51页 |
4.5 小结 | 第51-53页 |
5. 液晶中ICP-MS分析方法的电学测试验证 | 第53-62页 |
5.1 液晶电学性能测试介绍 | 第53-54页 |
5.2 试验设备及材料 | 第54-56页 |
5.2.1 主要实验仪器 | 第54页 |
5.2.2 主要实验材料 | 第54页 |
5.2.3 主要设备介绍 | 第54-56页 |
5.3 电学验证试验过程 | 第56-61页 |
5.3.1 VHR测试条件的确认 | 第56-59页 |
5.3.2 VHR测试数据与ICPMS测试结果的相关性 | 第59-61页 |
5.4 小结 | 第61-62页 |
6. 结论与展望 | 第62-65页 |
6.1 结论 | 第62-63页 |
6.2 展望 | 第63-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
附录 | 第70页 |