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基于标准CMOS工艺非易失存储器高压产生电路的研究

摘要第9-10页
ABSTRACT第10页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究背景及意义第11-16页
        1.1.1 非易失存储器第11-13页
        1.1.2 电荷泵在非易失存储器中的应用第13-16页
    1.2 国内外研究现状第16-17页
    1.3 本文主要工作内容第17页
    1.4 论文组织结构第17-19页
第二章 电荷泵设计基础第19-34页
    2.1 电荷泵简介第19页
    2.2 电荷泵基本原理第19-24页
    2.3 电荷泵的性能参数第24-28页
    2.4 电荷泵结构分析第28-33页
        2.4.1 四相时钟电荷泵第28-30页
        2.4.2 交叉耦合电荷泵第30-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第三章 电荷泵电路设计第34-46页
    3.1 改进的四相时钟电荷泵设计第34-40页
        3.1.1 电路结构设计第34-37页
        3.1.2 电路实现第37-40页
    3.2 改进的交叉耦合电荷泵设计第40-44页
        3.2.1 电路结构设计第40-42页
        3.2.2 电路实现第42-44页
    3.3 本章小结第44-46页
第四章 高压产生电路设计第46-64页
    4.1 高压产生电路架构第46-48页
    4.2 高压产生电路子电路设计第48-59页
        4.2.1 时钟产生电路设计第48-53页
        4.2.2 高压稳压电路的设计第53-58页
        4.2.3 泄流电路设计第58-59页
    4.3 高压产生电路整体仿真第59-61页
    4.4 版图实现第61-62页
    4.5 本章小结第62-64页
第五章 总结与展望第64-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-72页
作者在学期间取得的学术成果第72页

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