| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 实验研究和有限元模拟研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 微观模拟研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 计算方法和数据处理及误差分析方法 | 第16-32页 |
| 2.1 分子动力学的目标 | 第16页 |
| 2.2 分子动力学原理 | 第16-17页 |
| 2.3 初始条件 | 第17页 |
| 2.4 力的计算 | 第17页 |
| 2.5 边界条件 | 第17-20页 |
| 2.6 长程相互作用 | 第20-22页 |
| 2.7 积分方法 | 第22-24页 |
| 2.8 热力学系综 | 第24-27页 |
| 2.9 加速模拟 | 第27-28页 |
| 2.10 数据分析和误差估计 | 第28-31页 |
| 2.11 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 热等静压焊接微观机制 | 第32-56页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 外部压强对热等静压过程的影响 | 第32-40页 |
| 3.2.1 计算模型及参数设置 | 第32-37页 |
| 3.2.2 外部压强对热等静压过程的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 温度对热等静压过程的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 材料晶向对焊接过程的影响 | 第43-48页 |
| 3.4.1 计算模型 | 第43-44页 |
| 3.4.2 不同晶向计算结果比较 | 第44-48页 |
| 3.5 界面形状对焊接过程的影响 | 第48-51页 |
| 3.5.1 计算模型 | 第48-49页 |
| 3.5.2 计算结果及分析 | 第49-51页 |
| 3.6 界面存在纳米级孔隙 | 第51-54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 原位消除CuW界面纳米级缺陷 | 第56-72页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 消除界面附近位于Cu一侧的纳米级半球型缺陷 | 第57-66页 |
| 4.2.1 计算模型及计算过程 | 第57-59页 |
| 4.2.2 半球形缺陷的消除过程 | 第59-64页 |
| 4.2.3 抗疲劳分析 | 第64-66页 |
| 4.3 缺陷形状和位置的影响 | 第66-70页 |
| 4.3.1 计算模型 | 第66页 |
| 4.3.2 原位消除缺陷的结果 | 第66-67页 |
| 4.3.3 热处理结果 | 第67-69页 |
| 4.3.4 热疲劳分析 | 第69-70页 |
| 4.4 一种消除纳米尺度缺陷的处理途径 | 第70-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 Cu内冲击波跨晶界传播的应力分配机制 | 第72-92页 |
| 5.1 引言 | 第72-73页 |
| 5.2 冲击波在单晶Cu内传播 | 第73-78页 |
| 5.2.1 计算模型 | 第73-75页 |
| 5.2.2 冲击波在单晶Cu内传播模拟结果 | 第75-78页 |
| 5.3 冲击波在Cu内跨晶界传播 | 第78-88页 |
| 5.3.1 计算模型 | 第78-81页 |
| 5.3.2 冲击波在Cu内跨晶界传播模拟结果和分析 | 第81-88页 |
| 5.4 多晶界面对于消除缺陷的影响 | 第88-89页 |
| 5.4.1 计算模型 | 第88页 |
| 5.4.2 消除半球形缺陷结果分析 | 第88-89页 |
| 5.5 本章小结 | 第89-92页 |
| 第6章 总结与展望 | 第92-94页 |
| 6.1 工作总结 | 第92-93页 |
| 6.2 工作展望 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第110页 |