| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 前言 | 第8页 |
| 1.2 ZnO纳米结构光学特性 | 第8-9页 |
| 1.3 ZnO异质结发光器件的研究现状 | 第9-14页 |
| 1.3.1 ZnO基异质结发光器件的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3.2 阻挡层调节ZnO/GaN异质结发光器件的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4 本论文的研究意义与内容 | 第14-16页 |
| 第二章 ZnO纳米结构的表征分析及可控生长 | 第16-26页 |
| 2.1 表征分析手段 | 第16-18页 |
| 2.1.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第16页 |
| 2.1.2 X射线衍射(XRD) | 第16-17页 |
| 2.1.3 光致发光(PL) | 第17-18页 |
| 2.1.4 电致发光(EL) | 第18页 |
| 2.1.5 原子力显微镜(AFM) | 第18页 |
| 2.2 ZnO纳米结构的合成方法 | 第18-20页 |
| 2.3 水热法制备GaN/ZnO可控生长的研究 | 第20-25页 |
| 2.3.1 ZnO纳米结构的制备 | 第20-21页 |
| 2.3.2 GaN衬底上直接合成ZnONWs的实验及分析 | 第21-23页 |
| 2.3.3 制备晶种层后合成ZnONWs的实验及分析 | 第23-25页 |
| 2.4 小结 | 第25-26页 |
| 第三章 ZnO/ZnS核壳结构的合成及其光致发光性质的研究 | 第26-35页 |
| 3.1 固相硫化ZnO合成ZnO/ZnS结构的光致发光特性研究 | 第26-31页 |
| 3.1.1 固相硫化ZnO合成ZnO/ZnS结构的制备方法 | 第26-27页 |
| 3.1.2 结构及发光特性研究 | 第27-31页 |
| 3.2 CBD合成ZnO/ZnS结构的光致发光特性研究 | 第31-34页 |
| 3.2.1 CBD合成ZnO/ZnS结构的制备方法 | 第31-32页 |
| 3.2.2 结构及发光特性研究 | 第32-34页 |
| 3.3 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 ZnO基异质结的制备及电致发光特性研究 | 第35-46页 |
| 4.1 ZnO薄膜异质结的电致发光特性研究 | 第35-43页 |
| 4.1.1 GaN/ZnO异质结制备 | 第36页 |
| 4.1.2 GaN/MgO/ZnO异质结制备 | 第36-37页 |
| 4.1.3 GaN/MgO/ZnO/ZnS异质结制备 | 第37页 |
| 4.1.4 结构及发光特性研究 | 第37-43页 |
| 4.2 ZnO纳米结构异质结的制备及电致发光特性研究 | 第43-45页 |
| 4.2.1 GaN/MgO/ZnOfilm/ZnS异质结制备 | 第43页 |
| 4.2.2 GaN/MgO/ZnONWs/ZnS异质结制备 | 第43-44页 |
| 4.2.3 电学特性表征 | 第44-45页 |
| 4.3 小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论与展望 | 第46-47页 |
| 5.1 结论 | 第46页 |
| 5.2 展望 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 硕士期间的学术成果 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
