| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 过渡金属硫化物 | 第10-11页 |
| 1.2 WSe_2的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 理论和计算方法 | 第14-24页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) | 第14-19页 |
| 2.1.1 密度泛函方法 | 第15-16页 |
| 2.1.2 绝热近似和哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第16页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第16-17页 |
| 2.1.4 能量泛函 | 第17页 |
| 2.1.5 Kohn-Sham方程 | 第17页 |
| 2.1.6 交换关联泛函 | 第17-19页 |
| 2.2 布洛赫定理 | 第19页 |
| 2.3 赝势方法 | 第19-21页 |
| 2.4 掺杂 | 第21页 |
| 2.5 VASP程序包 | 第21-24页 |
| 第三章 Ⅴ和Ⅷ族元素掺杂单层WSe_2的电子结构和磁性的研究 | 第24-34页 |
| 3.1 研究背景 | 第24-25页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第25-26页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第25页 |
| 3.2.2 计算模型 | 第25-26页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第26-33页 |
| 3.3.1 掺杂后单层WSe_2的磁性和形成能 | 第26-28页 |
| 3.3.2 掺杂后单层WSe_2的电子结构 | 第28-33页 |
| 3.4 结论 | 第33-34页 |
| 第四章 应变对单层WSe_2薄膜电子结构的调控 | 第34-44页 |
| 4.1 研究背景 | 第34-35页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第35-36页 |
| 4.2.1 计算方法 | 第35页 |
| 4.2.2 计算模型 | 第35-36页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第36-42页 |
| 4.3.1 施加应变后单层WSe_2的电子结构 | 第36-40页 |
| 4.3.2 单层WSe_2不施加应力时特定点的投影电荷密度图 | 第40-42页 |
| 4.4 结论 | 第42-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第56-58页 |
